ADRIAN NESTOR FAIGON

Datos académicos

Lugar de trabajo	CONSEJO NACIONAL DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS Y TECNICAS / OFICINA DE COORDINACION ADMINISTRATIVA HOUSSAY / INSTITUTO DE TECNOLOGIAS Y CIENCIAS DE LA INGENIERIA "HILARIO FERNANDEZ LONG" \| UNIVERSIDAD DE BUENOS AIRES / FACULTAD DE INGENIERIA / INSTITUTO DE TECNOLOGIAS Y CIENCIAS DE LA INGENIERIA "HILARIO FERNANDEZ LONG"
Título	PhD in Science - Applied Physics
Grado	Universitario de posgrado/doctorado
Campo de aplicación	Prod.Metal.,Maq.y Equ.-Componentes Electron
Especialidad	Micro-Nanoelectrónica

PRODUCCION CIENTÍFICO TECNOLÓGICA

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Artículo 6MV LINAC characterization of a MOSFET dosimeter fabricated in a CMOS process

García Inza, Mariano Andrés ; Cassani, María Victoria ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Casal, M.; Redin, Eduardo Gabriel; Faigon, Adrián Néstor (Pergamon-Elsevier Science Ltd, 2018-10)
Artículo CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs

García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Lipovetzky, José ; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2014-12)
Artículo Deep electron traps in HfO2-based metal-oxide-semiconductor capacitors

Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Lipovetzky, José ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; García Inza, Mariano Andrés ; Redin, Eduardo Gabriel; Campabadal, F.; Faigon, Adrián Néstor (Elsevier Science Sa, 2016-02)
Artículo Electrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures with atomic layer deposited Al2 O3, HfO2, and nanolaminates on different silicon substrates

Campabadal, F.; Rafí, J.M.; Zabala, M.; Beldarrain, O.; Faigon, Adrián Néstor ; Castán, H.; Gómez, A.; García, H.; Dueas, S. (A V S Amer Inst Physics, 2011-01)
Artículo Electrical correlation of double-diffused metaloxidesemiconductor transistors exposed to gamma photons, protons, and hot carriers

Palumbo, Félix Roberto Mario ; Faigon, Adrián Néstor ; Curro, Giuseppe (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011-05)
Artículo Electron trapping in amorphous Al2O3

Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Campabadal, F.; Faigon, Adrián Néstor (American Institute of Physics, 2018-02)
Artículo Experimental characterization and numerical modeling of total ionizing dose effects on field oxide MOS dosimeters

Cassani, María Victoria ; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Faigon, Adrián Néstor ; Redin, Eduardo Gabriel; García Inza, Mariano Andrés (Pergamon-Elsevier Science Ltd, 2021-05)
Artículo Experimental evidence and modeling of non-monotonic responses in MOS dosimeters

Faigon, Adrián Néstor ; García Inza, Mariano Andrés ; Lipovetzky, José ; Redin, Eduardo Gabriel; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Berbeglia, F. (Elsevier, 2013-05)
Artículo Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes

Lipovetzky, José ; García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013-12)
Artículo Floating Gate PMOS Dosimeters Under Bias Controlled Cycled Measurement

García Inza, Mariano Andrés ; Lipovetzky, José ; Redin, Eduardo Gabriel; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011-06)
Artículo Floating Gate sensor for in-vivo dosimetry in radiation therapies: design and first characterization

Faigon, Adrián Néstor ; Martinez Vazquez, Ignacio José; Carbonetto, Sebastián Horacio ; García Inza, Mariano Andrés (IOP Publishing, 2017-03)
Artículo Influence of Interface Traps on MOSFET thermal coefficients and its effects on the ZTC current

García Cozzi, R.; Redin, Eduardo Gabriel; García Inza, Mariano Andrés ; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Faigon, Adrián Néstor ; Carbonetto, Sebastián Horacio (Pergamon-Elsevier Science Ltd, 2022-10)
Artículo Long Term Effects of Charge Redistribution in Cycled Bias Operating MOS Dosimeter

Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Holmes Siedle, A.; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016-12)
Artículo Modeling Switched Bias Irradiations on Floating Gate Devices: Application to Dosimetry

Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Lipovetzky, José ; Redin, Eduardo Gabriel; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2022-06)
Artículo Modeling tunneling and generation mechanisms governing the nonequilibrium transient in pulsed metal-oxide-semiconductor diodes

Vercik, Andrés; Faigon, Adrián Néstor (American Institute of Physics, 2000-12)
Artículo Neutron‐Gamma Dosimetry for BNCT using Field Oxide Transistors with Gadolinium Oxide as Neutron Converter Layer

Gimenez, Melisa Lucía; Lipovetzky, José ; Alcalde Bessia, Fabricio Pablo ; Longhino, Juan Manuel; Tartaglione, Aureliano ; García Inza, Mariano Andrés ; Blostein, Juan Jeronimo ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Gomez Berisso, Mariano ; Pérez, Martín ; Sidelnik, Iván Pedro ; Redin, Eduardo Gabriel; Faigon, Adrián Néstor (American Association of Physicists in Medicine, 2022-02)
Artículo Numerical modeling of radiation-induced charge loss in CMOS floating gate cells

Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Faigon, Adrián Néstor (Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Electrónica, 2021-11)
Artículo Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices

Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Lipovetzky, José ; Redin, Eduardo Gabriel; Faigon, Adrián Néstor (Pergamon-Elsevier Science Ltd, 2022-04)
Artículo Radiation and bias switch-induced charge dynamics in Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures

Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Kasulin, A.; Lipovetzky, José ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; García Inza, Mariano Andrés ; Redin, Eduardo Gabriel; Berbeglia, F.; Campabadal, F.; Faigon, Adrián Néstor (American Institute of Physics, 2014-11)
Artículo Radiation sensor based on MOSFETs mismatch amplification for radiotherapy applications

Garcia Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Lipovetzky, José ; Faigon, Adrian Nestor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016-06)

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