JOSE LIPOVETZKY

Datos académicos

Lugar de trabajo	CONSEJO NACIONAL DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS Y TECNICAS / OFICINA DE COORDINACION ADMINISTRATIVA CIUDAD UNIVERSITARIA / UNIDAD EJECUTORA INSTITUTO DE NANOCIENCIA Y NANOTECNOLOGIA / UNIDAD EJECUTORA INSTITUTO DE NANOCIENCIA Y NANOTECNOLOGIA - NODO BARILOCHE \| COMISION NACIONAL DE ENERGIA ATOMICA / UNIDAD EJECUTORA INSTITUTO DE NANOCIENCIA Y NANOTECNOLOGIA / UNIDAD EJECUTORA INSTITUTO DE NANOCIENCIA Y NANOTECNOLOGIA - NODO BARILOCHE
Título	Ingeniero Electrónico
Grado	Universitario de grado
Campo de aplicación	Tecnol.sanit.y curativa-Instrum.medico y od
Especialidad	Microelectrónica y nanotecnología. Desarrollo y aplicaciones de micro y nanodispositivos.

PRODUCCION CIENTÍFICO TECNOLÓGICA

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Artículo Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices

Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Lipovetzky, José ; Redin, Eduardo Gabriel; Faigon, Adrián Néstor (Pergamon-Elsevier Science Ltd, 2022-04)
Artículo Particle detection and classification using commercial off the shelf CMOS image sensors

Pérez, Martín ; Lipovetzky, José ; Sofo Haro, Miguel Francisco ; Sidelnik, Iván Pedro ; Blostein, Juan Jeronimo ; Alcalde Bessia, Fabricio Pablo ; Gomez Berisso, Mariano (Elsevier Science, 2016-04)
Artículo Pattern matching oriented photodetector image sensor with programmable interconnection between pixels

Calarco, Nicolás Ezequiel ; Lipovetzky, José ; Lutenberg, Ariel ; Perez Quintian, Luis Fernando (Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, 2021-12)
Artículo Performance evaluation of GaN and Si based driver circuits for a SiC MOSFET power switch

Carra, Martin Javier; Tacca, Hernán Emilio; Lipovetzky, José (Institute of Advanced Engineering and Science, 2021-09)
Artículo Performance of an optical encoder based on a nondiffractive beam implemented with a specific photodetection integrated circuit and a diffractive optical element

Perez Quintian, Luis Fernando ; Calarco, Nicolás Ezequiel ; Lutenberg, Ariel ; Lipovetzky, José (Optical Society of America, 2015-09)
Artículo Radiation and bias switch-induced charge dynamics in Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures

Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Kasulin, A.; Lipovetzky, José ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; García Inza, Mariano Andrés ; Redin, Eduardo Gabriel; Berbeglia, F.; Campabadal, F.; Faigon, Adrián Néstor (American Institute of Physics, 2014-11)
Artículo Radiation sensor based on MOSFETs mismatch amplification for radiotherapy applications

Garcia Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Lipovetzky, José ; Faigon, Adrian Nestor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016-06)
Artículo Radiation Sensor Based on MOSFETs Mismatch Amplification for Radiotherapy Applications

García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Lipovetzky, José ; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016-06)
Artículo Reducing measurement uncertainties using bias cycled measurement in MOS dosimetry at different temperatures

Lipovetzky, José ; Redin, Eduardo Gabriel; García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010-04)
Artículo Self-aligning CMOS photodetector sensor for application on an NDB-based optical encoder

Calarco, Nicolás Ezequiel ; Mombello, Lucas; Lipovetzky, José ; Lutenberg, Ariel ; Perez Quintián, Fernando (Optical Society of America, 2019-11)
Artículo Simulation of 500 MeV neutrons by using NaCl doped Water Cherenkov detector

Sidelnik, Iván Pedro ; Asorey, Hernán Gonzalo ; Guarin, Nicolás; Durán, Mauricio Suaréz; Gomez Berisso, Mariano ; Lipovetzky, José ; Blostein, Juan Jeronimo (Elsevier, 2020-05)
Artículo Soft X-rays spectroscopy with a commercial CMOS image sensor at room temperature

Sofo Haro, Miguel Francisco ; Alcalde Bessia, Fabricio Pablo ; Pérez, Martín ; Blostein, Juan Jeronimo ; Balmaceda, Darío Federico; Gomez Berisso, Mariano ; Lipovetzky, José (Pergamon-Elsevier Science Ltd, 2020-02)
Artículo Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter

García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Lipovetzky, José ; Carra, Martin Javier; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Redin, Eduardo Gabriel; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2014-06)
Artículo Temperature-compensated MOS dosimeter fully integrated in a high-voltage 0.35 µm CMOS process

Carbonetto, Sebastián Horacio ; Echarri, Martin; Lipovetzky, José ; García Inza, Mariano Andrés ; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020-06)
Artículo Thermal neutron detector based on COTS CMOS imagers and a conversion layer containing Gadolinium

Pérez, Martín ; Blostein, Juan Jeronimo ; Alcalde Bessia, Fabricio Pablo ; Tartaglione, Aureliano ; Sidelnik, Iván Pedro ; Sofo Haro, Miguel Francisco ; Suarez, Sergio Gabriel ; Gimenez, Melisa Lucía; Gomez Berisso, Mariano ; Lipovetzky, José (Elsevier Science, 2018-06)
Artículo Ultralow Power Ionizing Dose Sensor Based on Complementary Fully Depleted MOS Transistors for Radiotherapy Application

Alcalde Bessia, Fabricio Pablo ; Flandre, Denis; André, Nicolás; Irazoqui, Julieta; Perez, Martín; Gomez Berisso, Mariano ; Lipovetzky, José (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019-10-02)
Artículo X-ray characterization of BUSARD chip: A HV-SOI monolithic particle detector with pixel sensors under the buried oxide

Alcalde Bessia, Fabricio Pablo ; Lipovetzky, José ; Peric, I. (IOP Publishing, 2021-12)
Artículo X-ray micrographic imaging system based on COTS CMOS sensors

Alcalde Bessia, Fabricio Pablo ; Pérez, Martin; Lipovetzky, José ; Piunno, Natalia Alejandra ; Mateos, Horacio; Sidelnik, Iván Pedro ; Blostein, Juan Jeronimo ; Sofo Haro, Miguel Francisco ; Gomez Berisso, Mariano (John Wiley & Sons Ltd, 2018-06-04)
Artículo Zero temperature coefficient bias in MOS devices. Dependence on interface traps density, application to MOS dosimetry

Carbonetto, Sebastián Horacio ; García Inza, Mariano Andrés ; Lipovetzky, José ; Redin, Eduardo Gabriel; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Faigon, Adrian Nestor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011-09)

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