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Radiation Sensor Based on MOSFETs Mismatch Amplification for Radiotherapy Applications

García Inza, Mariano AndrésIcon ; Carbonetto, Sebastián HoracioIcon ; Lipovetzky, JoséIcon ; Faigon, Adrián NéstorIcon
Fecha de publicación: 06/2016
Editorial: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Revista: Ieee Transactions on Nuclear Science
ISSN: 0018-9499
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:

Resumen

In this paper we present a new dosimeter based on apair of thick gate oxide MOSFET sensors. A differential circuittopology with a feedback loop provides stabilized output withselectable sensitivity amplification for real-time in vivo dosimetry.Radiation response shows a wide linear output range and aneffective thermal rejection. These properties make this circuitsuitable for dose control in radiotherapy applications.
Palabras clave: Ionizing Radiation , Mosfet Dosimeter , Radiotherapy , Solid-State Detectors
 
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Formato: PDF
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Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/46328
DOI: https://dx.doi.org/10.1109/TNS.2016.2560172
URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/7464334
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Citación
García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Lipovetzky, José; Faigon, Adrián Néstor; Radiation Sensor Based on MOSFETs Mismatch Amplification for Radiotherapy Applications; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 63; 3; 6-2016; 1784-1789
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