NESTOR GHENZI

Datos académicos

Lugar de trabajo	COMISION NACIONAL DE ENERGIA ATOMICA / GERENCIA D/AREA INVEST Y APLICACIONES NO NUCLEARES / GERENCIA FISICA (CAC)
Título	doctor en fisica
Grado	Universitario de posgrado/doctorado
Campo de aplicación	Ciencia y cultura-Ciencia y tecnologia
Especialidad	Fisica del Sólido- Propiedades físicas de interfaces óxido metal- Dispositivos de Memoria

PRODUCCION CIENTÍFICO TECNOLÓGICA

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Artículo A compact model for binary oxides-based memristive interfaces

Ghenzi, Néstor ; Sánchez, María José ; Levy, Pablo Eduardo (IOP Publishing, 2013-10)
Artículo Adaptive threshold in TiO 2 -based synapses

Ghenzi, Nestor ; Barella, Mariano ; Rubi, Diego ; Acha, Carlos Enrique (IOP Publishing, 2019-01)
Evento Bipolar resistive switching on TiO2/Au by conducting Atomic Force Microscopy

Linares Moreau, M. M.; Levy, Pablo Eduardo ; López Mir, L.; Ghenzi, Nestor ; Golmar, Federico ; Granja, Leticia Paula ; Ocal, C.; Levy, Pablo Eduardo (Elsevier, 2019)
Artículo Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions

Ghenzi, Néstor ; Rubi, Diego ; Mangano, E.; Gimenez, G.; Lell, Julián Alejandro; Zelcer, Andrés ; Stoliar, Pablo Alberto; Levy, Pablo Eduardo (Elsevier, 2013-11)
Artículo Caracterización eléctrica y modelado de memorias no volátiles basadas en óxidos

Ghenzi, Néstor (Asociación Argentina de Materiales, 2017-05)
Artículo Impact of sub- and supra- threshold switching in the synaptic behavior of TiO2 memristors

Ghenzi, Néstor ; Levy, Pablo Eduardo (Elsevier Science, 2018-06)
Artículo Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness

Rubi, Diego ; Kalstein, Ariel ; Roman Acevedo, Wilson Stibens ; Ghenzi, Néstor ; Quinteros, Cynthia Paula ; Mangano, E.; Granell, Pablo Nicolás; Golmar, Federico ; Marlasca, F. G.; Suarez, Sergio Gabriel ; Bernardi, Guillermo Carlos ; Albornoz, C.; Leyva de Guglielmino, Ana Gabriela; Levy, Pablo Eduardo (Elsevier Science Sa, 2015-03)
Artículo Modeling electronic transport mechanisms in metal-manganite memristive interfaces

Gomez Marlasca, F.; Ghenzi, Néstor ; Leyva, Adelma Graciela ; Albornoz, Cecilia Andrea; Stoliar, Pablo Alberto; Rubi, Diego ; Levy, Pablo Eduardo (American Institute of Physics, 2013-04)
Artículo Modeling of the Hysteretic I-V Characteristics of TiO2-Based Resistive Switches Using the Generalized Diode Equation

Blasco, Juli; Ghenzi, Néstor ; Suãé, Jordi; Levy, Pablo Eduardo ; Miranda, Enrique (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2014-01)
Artículo One-transistor one-resistor (1T1R) cell for large-area electronics

Ghenzi, Néstor ; Rozenberg, M.; Pietrobon, L.; Llopis, R.; Gay, R.; Beltrán, M.; Knez, M.; Hueso, L.; Stoliar, P. (American Institute of Physics, 2018-08)
Artículo Resistive switching in ferromagnetic La2/3Ca1/3MnO3 thin films

Alposta, Ignacio; Kalstein, Ariel ; Ghenzi, Néstor ; Bengió, Silvina ; Zampieri, Guillermo Enrique ; Rubi, Diego ; Levy, Pablo Eduardo (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013-07-23)
Artículo Tailoring conductive filaments by electroforming polarity in Memristive based TiO2 junctions

Ghenzi, Néstor ; Sánchez, María José ; Rubi, Diego ; Rozenberg, Marcelo Javier ; Urdaniz, Maria Corina ; Weissmann, Mariana Dorotea ; Levy, Pablo Eduardo (American Institute of Physics, 2014-05-01)
Artículo Tuning the resistive switching properties of TiO2-x films

Ghenzi, Néstor ; Rozenberg, M.J.; Llopis, R.; Levy, Pablo Eduardo ; Hueso, Luis E.; Stoliar, Pablo Alberto (American Institute of Physics, 2015-03)
Artículo Two resistive switching regimes in thin film manganite memory devices on silicon

Rubi, Diego ; Tesler, Federico Ariel ; Alposta, I.; Kalstein, Ariel ; Ghenzi, Néstor ; Gomez Marlasca, F.; Rozenberg, Marcelo Javier ; Levy, Pablo Eduardo (American Institute of Physics, 2013-10)

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