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Artículo

Adaptive threshold in TiO 2 -based synapses

Ghenzi, NestorIcon ; Barella, MarianoIcon ; Rubi, DiegoIcon ; Acha, Carlos EnriqueIcon
Fecha de publicación: 01/2019
Editorial: IOP Publishing
Revista: Journal of Physics D: Applied Physics
ISSN: 0022-3727
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Física de los Materiales Condensados

Resumen

We measured and analyzed the dynamic and remnant current-voltages curves of Al/TiO2/Au and Ni/TiO2/Ni/Au memory devices in order to understand the conduction mechanisms and their synapse-like memory properties. Current levels and switching threshold voltages are strongly affected by the metal used for the electrode. We propose a non-trivial circuit model which captures in detail the current-voltage response of both kinds of devices. We found that, for the former device, the voltage threshold can be maintained constant, independently of the applied voltage history, while for the latter, a limiting resistor controls the threshold voltages behavior, being the origin of their dependence on the resistance value previous to the switching. The identification of the conduction mechanisms across the device allows optimizing the memristor performance and determining the best electrode choice to improve the device synapse-emulation abilities.
Palabras clave: ELECTRICAL CIRCUIT MODELLING , MEMRISTOR , RESISTIVE SWITCHING , SYNAPSE EMULATION
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info:eu-repo/semantics/restrictedAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.5 Unported (CC BY-NC-SA 2.5)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/157169
DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6463/aafdf3
Colecciones
Articulos(CIBION)
Articulos de CENTRO DE INVESTIGACIONES EN BIONANOCIENCIAS "ELIZABETH JARES ERIJMAN"
Articulos(IFIBA)
Articulos de INST.DE FISICA DE BUENOS AIRES
Articulos(UE-INN)
Articulos de UNIDAD EJECUTORA INSTITUTO DE NANOCIENCIA Y NANOTECNOLOGIA
Citación
Ghenzi, Nestor; Barella, Mariano; Rubi, Diego; Acha, Carlos Enrique; Adaptive threshold in TiO 2 -based synapses; IOP Publishing; Journal of Physics D: Applied Physics; 52; 12; 1-2019; 1-8
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