Stoliar, Pablo Alberto

PRODUCCION CIENTÍFICO TECNOLÓGICA

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Artículo A Leaky-Integrate-and-Fire Neuron Analog Realized with a Mott Insulator

Stoliar, Pablo Alberto; Tranchant, Julien; Corraze, Benoit; Janod, Etienne; Besland, Marie Paule; Tesler, Federico Ariel ; Rozenberg, Marcelo Javier ; Cario, Laurent (Wiley VCH Verlag, 2017-03)
Artículo A light-controlled resistive switching memory

Ungureanu, Mariana; Zazpe, Raul; Golmar, Federico ; Stoliar, Pablo Alberto; Llopis, Roger; Casanova, Felix; Hueso, Luis E. (Wiley VCH Verlag, 2012-04)
Artículo Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions

Ghenzi, Néstor ; Rubi, Diego ; Mangano, E.; Gimenez, G.; Lell, Julián Alejandro; Zelcer, Andrés ; Stoliar, Pablo Alberto; Levy, Pablo Eduardo (Elsevier, 2013-11)
Artículo Cobalt phthalocyanine-based submicrometric field-effect transistors

Golmar, Federico ; Stoliar, Pablo Alberto; Monton, Carlos Martin ; Valmianski, Ilya; Schuller, Ivan K.; Hueso, Luis E.; Casanova, Fèlix (Wiley VCH Verlag, 2015-03)
Artículo HfO2 based memory devices with rectifying capabilities

Quinteros, Cynthia Paula ; Zaspe, R.; Marlasca, F. G.; Golmar, Federico ; Casanova, F.; Stoliar, Pablo Alberto; Hueso, L.; Levy, Pablo Eduardo (American Institute of Physics, 2013-12)
Artículo Modeling electronic transport mechanisms in metal-manganite memristive interfaces

Gomez Marlasca, F.; Ghenzi, Néstor ; Leyva, Adelma Graciela ; Albornoz, Cecilia Andrea; Stoliar, Pablo Alberto; Rubi, Diego ; Levy, Pablo Eduardo (American Institute of Physics, 2013-04)
Artículo Non-conventional metallic electrodes for organic field-effect transistors

Golmar, Federico ; Gobbi, M.; Llopis, Roger; Stoliar, Pablo Alberto; Casanova, Félix; Hueso, Luis E. (Elsevier Science, 2012-11)
Artículo Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit

Stoliar, Pablo Alberto; Levy, Pablo Eduardo ; Sánchez, María José ; Leiva, A. G.; Albornoz, C.A.; Gomez Marlasca, F.; Zanini, A.; Toro Salazar, Cinthya Emma; Ghenzi, N.; Rozenberg, M. J. (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2014-01-13)
Artículo Resistive switching dependence on atomic layer deposition parameters in HfO2-based memory devices

Zazpe, Raúl; Ungureanu, Mariana; Golmar, Federico ; Stoliar, Pablo Alberto; Llopis, Roger; Casanova, Félix; Pickup, David F.; Rogero, Celia; Hueso Falcon, Idaira (Royal Society of Chemistry, 2014-01)
Artículo Resistive switching in rectifying interfaces of metal-semiconductor-metal structures

Zazpe, R.; Stoliar, Pablo Alberto; Golmar, Federico ; Llopis, R.; Casanova, F.; Hueso, L. (American Institute of Physics, 2013-08)
Artículo Thermal effects on the switching kinetics of silver/manganite memristive systems

Stoliar, Pablo Alberto; Sánchez, M. J.; Patterson, Germán Agustín ; Fierens, Pablo Ignacio (IOP Publishing, 2014-10)
Artículo Tuning the resistive switching properties of TiO2-x films

Ghenzi, Néstor ; Rozenberg, M.J.; Llopis, R.; Levy, Pablo Eduardo ; Hueso, Luis E.; Stoliar, Pablo Alberto (American Institute of Physics, 2015-03)

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