Artículo

A light-controlled resistive switching memory

Ungureanu, Mariana; Zazpe, Raul; Golmar, FedericoIcon ; Stoliar, Pablo Alberto; Llopis, Roger; Casanova, Felix; Hueso, Luis E.
Fecha de publicación: 04/2012
Editorial: Wiley VCH Verlag
Revista: Advanced Materials
ISSN: 0935-9648
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:

Resumen

Sketch of the configuration of a light-controlled resistive switching memory. Light enters through the Al 2O 3 uncovered surface and reaches the optically active p-Si substrate, where carriers are photogenerated and subsequently injected in the Al 2O 3 layer when a suitable voltage pulse is applied. The resistance of the Al 2O 3 can be switched between different non-volatile states, depending on the applied voltage pulse and on the illumination conditions.
Palabras clave: LIGHT SENSING , MEMORY DEVICES , OXIDE THIN FILMS , RESISTIVE SWITCHING
 
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Formato: PDF
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Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/189090
URL: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201200382/full
DOI: https://doi.org/10.1002/adma.201200382
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Citación
Ungureanu, Mariana; Zazpe, Raul; Golmar, Federico; Stoliar, Pablo Alberto; Llopis, Roger; et al.; A light-controlled resistive switching memory; Wiley VCH Verlag; Advanced Materials; 24; 18; 4-2012; 2496-2500
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