Oxygen partial pressure dependence of electrical conductivity in γ′-Bi2MoO6

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dc.conicet.fuenteindividual
dc.conicet.organizacionUniversidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. Centro de Investigaciones en Sólidos
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. Centro de Investigaciones en Sólidos
dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
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dc.conicet.produccionid6304432
dc.contributor.authorVera, Claudia M. C.
dc.contributor.authorAragon, Ricardo
dc.date.accessioned2019-08-23T17:31:02Z
dc.date.available2019-08-23T17:31:02Z
dc.date.issued2008-05
dc.date.updated2019-08-22T13:17:39Z
dc.description.abstractThe electrical conductivity of γ′-Bi2MoO6 was surveyed between 450 and 750 °C as a function of oxygen partial pressure, in the range 0.01-1 atm. A -frac(1, 6) power law dependence, consistent with a Frenkel defect model of doubly ionized oxygen vacancies and interstitials, is evidence for an n-type semiconductive component, with an optical band gap of 2.9 eV. The absence of this dependence is used to map the onset of dominant ionic conduction.es
dc.description.filFil: Vera, Claudia M. C.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería; Argentina
dc.description.filFil: Aragon, Ricardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. Centro de Investigaciones en Sólidos; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. Centro de Investigaciones en Sólidos; Argentina
dc.formatapplication/pdfes
dc.identifier.citationVera, Claudia M. C.; Aragon, Ricardo; Oxygen partial pressure dependence of electrical conductivity in γ′-Bi2MoO6; Academic Press Inc Elsevier Science; Journal of Solid State Chemistry; 181; 5; 5-2008; 1075-1079es
dc.identifier.institucionalCONICET
dc.identifier.issn0022-4596es
dc.identifier.repoCONICET Digital
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11336/82041
dc.journal.ciudadAmsterdames
dc.journal.number5es
dc.journal.pagination1075-1079es
dc.journal.paisPaíses Bajoses
dc.journal.titleJournal of Solid State Chemistryes
dc.journal.volume181es
dc.language.isoenges
dc.publisherAcademic Press Inc Elsevier Sciencees
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022459608000881
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://doi.org/10.1016/j.jssc.2008.02.005
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess*
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/*
dc.subjectBismuth Molybdateses
dc.subjectElectrical Transportes
dc.subjectOxygen Ionic Conductiones
dc.subjectPhotoconductivityes
dc.subject.classificationFísico-Química, Ciencia de los Polímeros, Electroquímicaes
dc.subject.classificationCiencias Químicases
dc.subject.classificationCIENCIAS NATURALES Y EXACTASes
dc.titleOxygen partial pressure dependence of electrical conductivity in γ′-Bi2MoO6es
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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