Numerical analysis of si and gaas solar cells exposed to space radiation

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dc.conicet.produccionid5400134
dc.contributor.authorCappelletti, Marcelo Ángel
dc.contributor.authorCasas, Guillermo
dc.contributor.authorCedola, Ariel Pablo
dc.contributor.authorPeltzer y Blanca, Eitel Leopoldo
dc.date.accessioned2017-09-04T15:21:19Z
dc.date.available2017-09-04T15:21:19Z
dc.date.issued2013-02
dc.date.updated2017-08-07T16:39:05Z
dc.description.abstractIn this paper, we present a study about Si and GaAs space solar cells by means of numerical simulations. We have investigated the variations of the short-circuit current, open circuit voltage and maximum power point, before and after the devices were irradiated with 10 MeV protons and fluences between 109 and 1013 p+ /cm2. The simulation results allow to obtain the optimum solar cell with specific requirements for space applications.es
dc.description.filFil: Cappelletti, Marcelo Ángel. Universidad Nacional de La Plata; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.filFil: Casas, Guillermo. Universidad Nacional de La Plata; Argentina. Universidad Nacional de Quilmes; Argentina
dc.description.filFil: Cedola, Ariel Pablo. Universidad Nacional de La Plata; Argentina
dc.description.filFil: Peltzer y Blanca, Eitel Leopoldo. Universidad Nacional de La Plata; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.formatapplication/pdfes
dc.identifier.citationCappelletti, Marcelo Ángel; Casas, Guillermo; Cedola, Ariel Pablo; Peltzer y Blanca, Eitel Leopoldo; Numerical analysis of si and gaas solar cells exposed to space radiation; Institute of Electrical and Electronics Engineers; IEEE Latin America Transactions; 11; 1; 2-2013; 268-273es
dc.identifier.institucionalCONICET
dc.identifier.issn1548-0992es
dc.identifier.repoCONICET Digital
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11336/23532
dc.journal.ciudadNueva Yorkes
dc.journal.number1es
dc.journal.pagination268-273es
dc.journal.paisEstados Unidoses
dc.journal.titleIEEE Latin America Transactionses
dc.journal.volume11es
dc.language.isospaes
dc.publisherInstitute of Electrical and Electronics Engineerses
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1109/TLA.2013.6502815
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6502815/
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess*
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/*
dc.subjectDevice Modelinges
dc.subjectNumerical Simulationes
dc.subjectProton Radiation Effectses
dc.subjectSolar Cellses
dc.subject.classificationIngeniería de Sistemas y Comunicacioneses
dc.subject.classificationIngeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Informaciónes
dc.subject.classificationINGENIERÍAS Y TECNOLOGÍASes
dc.subject.classificationOtras Ciencias Físicases
dc.subject.classificationCiencias Físicases
dc.subject.classificationCIENCIAS NATURALES Y EXACTASes
dc.titleNumerical analysis of si and gaas solar cells exposed to space radiationes
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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