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Resistive switching effect on Al2O3/InGaAs stacks

 Palumbo, Félix Roberto Mario Icon; Shekhter, P. ; Krylov, I. ; Ritter, D. ; Eizenberg, M.

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Fecha

09/2013

Editorial

Elsevier Science

Revista

Microelectronic Engineering

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Fecha del evento

Institución organizadora

ISSN

0167-9317

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Idioma

Inglés

Tipo del evento

Clasificación temática

Física de los Materiales Condensados

Palabras clave

Resistive Switching , High-K Dielectrics , Oxide Breakdown

Resumen

The resistive switching (RS) pheno menon is currently attracting a lot of attention due to its potential Applicability for nonvolatile memory devices. Among all the systems currently under consideration, the analysis of MG/Al2O3/InGaAs is very relevant since this stack is a strong candidate for the new generation of CMOS devices with high mobility channels

URI

http://hdl.handle.net/11336/20949

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Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/20949
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.079
URL: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931713002967
Citación
Palumbo, Félix Roberto Mario; Shekhter, P.; Krylov, I.; Ritter, D.; Eizenberg, M.; Resistive switching effect on Al2O3/InGaAs stacks; Elsevier Science; Microelectronic Engineering; 109; 9-2013; 83-86
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