A New Methodology for Characterizing the Progressive BD of Hfo2/Sio2 Metal Gate Stacks

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dc.conicet.fuenteindividual
dc.conicet.organizacionConsiglio Nazionale delle Ricerche
dc.conicet.organizacionConsiglio Nazionale delle Ricerche
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
dc.conicet.organizacionComisión Nacional de Energía Atómica
dc.conicet.organizacionConsiglio Nazionale delle Ricerche
dc.conicet.organizacionSematech
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dc.conicet.organizacionSematech
dc.conicet.organizacionSematech
dc.conicet.organizacionSematech
dc.conicet.organizacionIbm Research
dc.conicet.paisOrganizacionItalia
dc.conicet.paisOrganizacionItalia
dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
dc.conicet.paisOrganizacionItalia
dc.conicet.paisOrganizacionEstados Unidos
dc.conicet.paisOrganizacionEstados Unidos
dc.conicet.paisOrganizacionEstados Unidos
dc.conicet.paisOrganizacionEstados Unidos
dc.conicet.paisOrganizacionEstados Unidos
dc.conicet.paisOrganizacionEstados Unidos
dc.conicet.produccionid6303339
dc.contributor.authorPagano, Roberto
dc.contributor.authorLombardo, Salvatore
dc.contributor.authorPalumbo, Félix Roberto Mario
dc.contributor.authorCarloni, Stefania
dc.contributor.authorKirsch, Paul
dc.contributor.authorKrishnan, Siddarth
dc.contributor.authorYoung, Chadwin
dc.contributor.authorChoi, Rino
dc.contributor.authorBersuker, Gennadi
dc.contributor.authorStathis, James
dc.date.accessioned2024-11-26T12:58:37Z
dc.date.available2024-11-26T12:58:37Z
dc.date.issued2008-12
dc.date.updated2024-11-15T14:51:06Z
dc.description.abstractDielectric breakdown (BD) of nFETs with TiN metal gates and HfO2 / interfacial layer with 1.09 nm EOT is studied. Occurrence of progressive BD at low current levels is demonstrated. A new measurement methodology for the characteristic growth time and its dependence on gate voltage are reported.2 / interfacial layer with 1.09 nm EOT is studied. Occurrence of progressive BD at low current levels is demonstrated. A new measurement methodology for the characteristic growth time and its dependence on gate voltage are reported.es
dc.description.filFil: Pagano, Roberto. Consiglio Nazionale delle Ricerche; Italia
dc.description.filFil: Lombardo, Salvatore. Consiglio Nazionale delle Ricerche; Italia
dc.description.filFil: Palumbo, Félix Roberto Mario. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.description.filFil: Carloni, Stefania. Consiglio Nazionale delle Ricerche; Italia
dc.description.filFil: Kirsch, Paul. Sematech; Estados Unidos
dc.description.filFil: Krishnan, Siddarth. Sematech; Estados Unidos
dc.description.filFil: Young, Chadwin. Sematech; Estados Unidos
dc.description.filFil: Choi, Rino. Sematech; Estados Unidos
dc.description.filFil: Bersuker, Gennadi. Sematech; Estados Unidos
dc.description.filFil: Stathis, James. Ibm Research; Estados Unidos
dc.formatapplication/pdfes
dc.identifier.citationPagano, Roberto; Lombardo, Salvatore; Palumbo, Félix Roberto Mario; Carloni, Stefania; Kirsch, Paul; et al.; A New Methodology for Characterizing the Progressive BD of Hfo2/Sio2 Metal Gate Stacks; IOP Publishing; ECS Transactions; 14; 1; 12-2008; 303-309es
dc.identifier.eissn1938-6737es
dc.identifier.institucionalCONICET
dc.identifier.issn1938-5862es
dc.identifier.repoCONICET Digital
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11336/248663
dc.journal.ciudadBristoles
dc.journal.number1es
dc.journal.pagination303-309es
dc.journal.paisReino Unidoes
dc.journal.titleECS Transactionses
dc.journal.volume14es
dc.language.isoenges
dc.publisherIOP Publishinges
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1.2956044
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1149/1.2956044
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess*
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/*
dc.subjectHIGH K DIELECTRICSes
dc.subjectRELIABILITYes
dc.subjectMETAL GATESes
dc.subjectOXIDE BREAKDOWNes
dc.subject.classificationOtras Ciencias Físicases
dc.subject.classificationCiencias Físicases
dc.subject.classificationCIENCIAS NATURALES Y EXACTASes
dc.titleA New Methodology for Characterizing the Progressive BD of Hfo2/Sio2 Metal Gate Stackses
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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