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Degradation in InAlN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors as monitored by low-frequency noise measurements: Hot phonon effects 115 142

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Alemania 2
Suiza 1
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Columbus 4
San Ramon 4
Lanus 2
San Diego 2
Santa Rosa 2
Ashburn 1
Buenos Aires 1
Cambridge 1
Fairfield 1
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*Sin datos: En origen no se informa País o Ciudad.