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Heterogeneous Capacitor‐less Two‐transistor Dynamic Random Access Memory Cell with Long Retention Time and High Sensing Current Supporting 5‐Bit Multilevel Operation 50 42

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Estados Unidos 36
Alemania 3
China 2
Argentina 1
Brasil 1
Suiza 1
Reino Unido 1
Iraq 1
Japón 1
Corea del Sur 1
Sin datos* 2

Cantidad de accesos por ciudad

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Boydton 5
Barretos 1
Beijing 1
Buenos Aires 1
Izberbash 1
Karbala 1
Los Angeles 1
Osaka 1
Santa Clara 1
Seoul 1
Sin datos* 36

*Sin datos: En origen no se informa País o Ciudad.