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Heterogeneous Capacitor‐less Two‐transistor Dynamic Random Access Memory Cell with Long Retention Time and High Sensing Current Supporting 5‐Bit Multilevel Operation 71 59

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Estados Unidos 54
Alemania 3
China 2
Corea del Sur 2
Argentina 1
Brasil 1
Suiza 1
Reino Unido 1
Iraq 1
Japón 1
Sin datos* 4

Cantidad de accesos por ciudad

Visualizaciones
Boydton 5
Ashburn 2
Seoul 2
Barretos 1
Beijing 1
Beirut 1
Buenos Aires 1
Izberbash 1
Karbala 1
Los Angeles 1
Sin datos* 55

*Sin datos: En origen no se informa País o Ciudad.