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Two resistive switching regimes in thin film manganite memory devices on silicon 116 214

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Cantidad de accesos por país

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Alemania 8
Argentina 6
China 3
Rusia 3
Canadá 2
Suiza 2
Francia 2
India 1
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Cantidad de accesos por ciudad

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San Ramon 7
Ashburn 6
Buenos Aires 3
Columbus 3
Falls Church 3
Louisville 3
Beijing 2
San Antonio 2
Ann Arbor 1
Boydton 1
Sin datos* 85

*Sin datos: En origen no se informa País o Ciudad.