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Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices 181 0

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Cantidad de accesos por país

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Estados Unidos 104
Suiza 19
Argentina 14
Holanda 8
China 7
Brasil 6
Alemania 6
Francia 3
Singapur 3
Finlandia 2
Sin datos* 9

Cantidad de accesos por ciudad

Visualizaciones
Boydton 18
La Plata 11
Columbus 10
Ashburn 5
Naaldwijk 4
Antian 2
Beijing 2
Boardman 2
Groningen 2
Helsinki 2
Sin datos* 123

*Sin datos: En origen no se informa País o Ciudad.