Estadísticas de visualización y descarga
Número total de visitas
desde el momento de su depósito en el Repositorio CONICET Digital
| Título | Visualizaciones | Descargas |
|---|---|---|
| Outstanding reliability of heavy ion irradiated AlInN/GaN on silicon HFETs | 59 | 0 |
Visitas al mes
de los últimos 6 meses
| noviembre 2024 | diciembre 2024 | enero 2025 | febrero 2025 |
|---|---|---|---|
| 9 | 8 | 12 | 6 |
Cantidad de accesos por país
| Visualizaciones | |
|---|---|
| Estados Unidos | 27 |
| Holanda | 10 |
| Suiza | 9 |
| Argentina | 6 |
| Australia | 1 |
| Canadá | 1 |
| Chile | 1 |
| Alemania | 1 |
| Francia | 1 |
| Hong Kong | 1 |
| Sin datos* | 1 |
Cantidad de accesos por ciudad
| Visualizaciones | |
|---|---|
| Columbus | 5 |
| Ashburn | 4 |
| Fairfield | 4 |
| Lanus | 2 |
| San Ramon | 2 |
| Ann Arbor | 1 |
| Boydton | 1 |
| Central | 1 |
| Cuajimalpa | 1 |
| Lampa | 1 |
| Sin datos* | 37 |
*Sin datos: En origen no se informa País o Ciudad.