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Boyeras Baldomá, Santiago
PRODUCCION CIENTÍFICO TECNOLÓGICA
Mostrando ítems 1-4 de 4
Artículo
Breakdown transients in high-k multilayered MOS stacks: Role of the oxide-oxide thermal boundary resistance
Boyeras Baldomá, Santiago
;
Pazos, Sebastián Matías
;
Aguirre, F. L.
;
Palumbo, Felix Roberto Mario
(
American Institute of Physics
,
2020-07
)
Artículo
Impact of bilayered oxide stacks on the breakdown transients of Metal-Oxide-Semiconductor devices: an experimental study
Pazos, Sebastián Matías
;
Boyeras Baldomá, Santiago
;
Aguirre, Fernando Leonel
;
Krylov, Igor
;
Eizenberg, M.
;
Palumbo, Felix Roberto Mario
(
American Institute of Physics
,
2020-05
)
Artículo
Temperature of Conductive Nanofilaments in Hexagonal Boron Nitride Based Memristors Showing Threshold Resistive Switching
Lanza, Mario
;
Palumbo, Felix Roberto Mario
;
Shi, Yuanyuan
;
Aguirre, Fernando Leonel
;
Boyeras Baldomá, Santiago
;
Yuan, Bin
;
Yalon, Eilam
;
Moreno, Enrique
;
Wu, Tianru
;
Roldan, Juan B.
(
John Wiley and Sons Inc
,
2021-08-12
)
Artículo
Wear-out and breakdown of Ta2O5/Nb:SrTiO3 stacks
Boyeras Baldomá, Santiago
;
Pazos, Sebastián Matías
;
Aguirre, F. L.
;
Ankonina, G.
;
Kornblum, L.
;
Yalon, E.
;
Palumbo, Felix Roberto Mario
(
Pergamon-Elsevier Science Ltd
,
2022-12
)
Mostrando ítems 1-4 de 4