Influence of MoO3 on electrical and microstructural properties of (K0.44Na0.52Li0.04)(Nb0.86Ta0.10Sb0.04)O3

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dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Mar del Plata. Instituto de Investigación En Ciencia y Tecnología de Materiales (i)
dc.conicet.organizacionUniversidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingenieria
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dc.conicet.organizacionInstituto de Ceramica y Vidrio de Madrid
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dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
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dc.conicet.paisOrganizacionEspaña
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dc.conicet.produccionid2789263
dc.contributor.authorRamajo, Leandro Alfredo
dc.contributor.authorCastro, María Cecilia
dc.contributor.authorRubio Marcos, F.
dc.contributor.authorFernandez Lozano, J.
dc.date.accessioned2015-12-14T18:42:13Z
dc.date.available2015-12-14T18:42:13Z
dc.date.issued2013-05-26
dc.date.updated2016-03-30 10:35:44.97925-03
dc.description.abstractMicrostructure, piezoelectric properties and dielectric behavior of undoped and MoO3-doped lead-free (K0.44Na0.52Li 0.04)(Nb0.86-xTa0.10-xSb0.04-x) Mo5/6xO3 were investigated. Samples were obtained by the conventional solid state reaction. X-ray diffraction (XRD) and Raman spectra revealed the formation of a perovskite phase, together with some minor secondary phase which could be assigned by XRD to K3LiNb6O 17. XRD also showed that the perovskite evolved from a tetragonal to orthorhombic symmetry with the increased doping level. The temperature dependence on real permittivity revealed the presence of a diffuse phase transition. This behavior raised with MoO3 concentration. Also, dielectric relaxation processes were observed at room temperature resulting dependent on doping level and sintering time.es
dc.description.filFil: Ramajo, Leandro Alfredo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Mar del Plata. Instituto de Investigación En Ciencia y Tecnología de Materiales (i); Argentina. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingenieria; Argentina
dc.description.filFil: Castro, María Cecilia. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Mar del Plata. Instituto de Investigación En Ciencia y Tecnología de Materiales (i); Argentina
dc.description.filFil: Rubio Marcos, F.. Instituto de Ceramica y Vidrio de Madrid; España
dc.description.filFil: Fernandez Lozano, J.. Instituto de Ceramica y Vidrio de Madrid; España
dc.formatapplication/pdfes
dc.identifier.citationRamajo, Leandro Alfredo; Castro, María Cecilia; Rubio Marcos, F.; Fernandez Lozano, J.; Influence of MoO3 on electrical and microstructural properties of (K0.44Na0.52Li0.04)(Nb0.86Ta0.10Sb0.04)O3; Springer; Journal Of Materials Science-materials In Electronics; 24; 9; 26-5-2013; 3587-3593es
dc.identifier.issn0957-4522es
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11336/2923
dc.journal.ciudadBerlines
dc.journal.number9es
dc.journal.pagination3587-3593es
dc.journal.paisAlemaniaes
dc.journal.titleJournal Of Materials Science-materials In Electronicses
dc.journal.volume24es
dc.language.isoenges
dc.publisherSpringeres
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1007/s10854-013-1289-9
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10854-013-1289-9
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccess*
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/*
dc.subjectPiezoelectrics Ceramicses
dc.subjectLead- Freees
dc.subjectKnl-Ntses
dc.subject.classificationCerámicoses
dc.subject.classificationIngeniería de los Materialeses
dc.subject.classificationINGENIERÍAS Y TECNOLOGÍASes
dc.subject.classificationFísico-Química, Ciencia de los Polímeros, Electroquímicaes
dc.subject.classificationCiencias Químicases
dc.subject.classificationCIENCIAS NATURALES Y EXACTASes
dc.titleInfluence of MoO3 on electrical and microstructural properties of (K0.44Na0.52Li0.04)(Nb0.86Ta0.10Sb0.04)O3es
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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