Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter

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dc.conicet.produccionid6551794
dc.contributor.authorGarcía Inza, Mariano Andrés
dc.contributor.authorCarbonetto, Sebastián Horacio
dc.contributor.authorLipovetzky, José
dc.contributor.authorCarra, Martin Javier
dc.contributor.authorSambuco Salomone, Lucas Ignacio
dc.contributor.authorRedin, Eduardo Gabriel
dc.contributor.authorFaigon, Adrián Néstor
dc.date.accessioned2018-01-10T19:13:40Z
dc.date.available2018-01-10T19:13:40Z
dc.date.issued2014-06
dc.date.updated2018-01-05T17:13:00Z
dc.description.abstractThis paper presents a differential MOSFET sensor reading technique based on the bias controlled cycled measurement. The circuit was implemented, and tested with gamma radiation from a 60-cobalt source. Temperature rejection performance was assessed during the exposure in real-time measurements. The results show that in comparison with a single MOSFET dosimeter the thermal drift is 20 times smaller and the radiation sensitivity is approximately 10% higher. The switched biasing allows to extend the measurement range beyond MOSFET's threshold voltage saturation.es
dc.description.filFil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
dc.description.filFil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
dc.description.filFil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
dc.description.filFil: Carra, Martin Javier. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
dc.description.filFil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
dc.description.filFil: Redin, Eduardo Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
dc.description.filFil: Faigon, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
dc.formatapplication/pdfes
dc.identifier.citationLipovetzky, José; Faigon, Adrián Néstor; Redin, Eduardo Gabriel; Carbonetto, Sebastián Horacio; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Carra, Martin Javier; et al.; Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 61; 3; 6-2014; 1407-1413es
dc.identifier.eissn1558-1578es
dc.identifier.institucionalCONICET
dc.identifier.issn0018-9499es
dc.identifier.repoCONICET Digital
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11336/32876
dc.journal.ciudadNueva Yorkes
dc.journal.number3es
dc.journal.pagination1407-1413es
dc.journal.paisEstados Unidoses
dc.journal.titleIeee Transactions on Nuclear Sciencees
dc.journal.volume61es
dc.language.isoenges
dc.publisherInstitute of Electrical and Electronics Engineerses
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6819076/
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2316337
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess*
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/*
dc.subjectMosfetes
dc.subjectDosimeteres
dc.subjectRadiationes
dc.subjectSensores
dc.subject.classificationIngeniería de Sistemas y Comunicacioneses
dc.subject.classificationIngeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Informaciónes
dc.subject.classificationINGENIERÍAS Y TECNOLOGÍASes
dc.titleSwitched Bias Differential MOSFET Dosimeteres
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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