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Radiation hardness of silicon Photomultipliers under 60Co γ-ray irradiation

 Pagano, R. ; Lombardo, S. ; Palumbo, Félix Roberto Mario Icon; Sanfilippo, D. ; Valvo, G. ; Fallica, G. ; Libertino, S.

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Fecha

09/2014

Editorial

Elsevier Science

Revista

Nuclear Instruments And Methods In Physics Research A: Accelerators, Spectrometers, Detectors And Associated Equipament

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Institución organizadora

ISSN

0168-9002

eISSN

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Idioma

Inglés

Tipo del evento

Clasificación temática

Astronomía

Palabras clave

Silicon Photomultiplier , Radiation Damage , Radiation Hardness , Gamma Rays

Resumen

Radiation damage in silicon photomultipliers (SiPM) caused by exposure to 60Co γ-rays is experimentally evaluated and discussed. SiPM devices were irradiated to doses up to 9.4 kGy. Dark current, dark count rate, gain, single photon counting capability, and cross-talk probability among SiPM pixels are evaluated as a function of irradiation dose.

URI

http://hdl.handle.net/11336/35926

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Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/35926
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2014.08.028
URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168900214009577
Citación
Pagano, R.; Lombardo, S.; Palumbo, Félix Roberto Mario; Sanfilippo, D.; Valvo, G. ; et al.; Radiation hardness of silicon Photomultipliers under 60Co γ-ray irradiation; Elsevier Science; Nuclear Instruments And Methods In Physics Research A: Accelerators, Spectrometers, Detectors And Associated Equipament; 767; 9-2014; 347-352
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