BaTiO3 thin films on platinized silicon: Growth, characterization and resistive memory behavior

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dc.conicet.fuenteElsevier
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dc.conicet.produccionid6558537
dc.contributor.authorRoman Acevedo, Wilson Stibens
dc.contributor.authorRengifo Morocho, Miguel Andrés
dc.contributor.authorSaleh Medina, Leila María
dc.contributor.authorReinoso, Maria Elba
dc.contributor.authorNegri, Ricardo Martin
dc.contributor.authorSteren, Laura Beatriz
dc.contributor.authorRubi, Diego
dc.date.accessioned2018-03-12T15:40:42Z
dc.date.available2018-03-12T15:40:42Z
dc.date.issued2017-04
dc.date.updated2018-03-09T18:59:18Z
dc.description.abstractWe report on the fabrication and characterization of Ti/BaTiO3/Pt memristive devices. BaTiO3 films were grown on platinized silicon by pulsed laser deposition with different laser pulse energies. We prove the existence of a correlation between the fabrication conditions and the microstructure and stoichiometry of the films. It is suggested that the small grain size found on our BaTiO3 films destabilizes the structural tetragonal distortion and inhibits the appearance of long-range ferroelectric ordering. We show that even in absence of ferroelectric resistive switching (RS), two different RS mechanisms (metallic filament formation and oxidation/reduction of the Ti top electrode) compete, and can be selected by controlling the films stoichiometry and microstructure.es
dc.description.filFil: Roman Acevedo, Wilson Stibens. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
dc.description.filFil: Rengifo Morocho, Miguel Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
dc.description.filFil: Saleh Medina, Leila María. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Química, Física de los Materiales, Medioambiente y Energía. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Química, Física de los Materiales, Medioambiente y Energía; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Química Inorgánica, Analítica y Química Física; Argentina
dc.description.filFil: Reinoso, Maria Elba. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina
dc.description.filFil: Negri, Ricardo Martin. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Química, Física de los Materiales, Medioambiente y Energía. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Química, Física de los Materiales, Medioambiente y Energía; Argentina
dc.description.filFil: Steren, Laura Beatriz. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.filFil: Rubi, Diego. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.formatapplication/pdfes
dc.identifier.citationRoman Acevedo, Wilson Stibens; Rengifo Morocho, Miguel Andrés; Saleh Medina, Leila María; Reinoso, Maria Elba; Negri, Ricardo Martin; et al.; BaTiO3 thin films on platinized silicon: Growth, characterization and resistive memory behavior; Elsevier Science Sa; Thin Solid Films; 628; 4-2017; 208-213es
dc.identifier.institucionalCONICET
dc.identifier.issn0040-6090es
dc.identifier.repoCONICET Digital
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11336/38515
dc.journal.ciudadAmsterdames
dc.journal.pagination208-213es
dc.journal.paisPaíses Bajoses
dc.journal.titleThin Solid Filmses
dc.journal.volume628es
dc.language.isoenges
dc.publisherElsevier Science Saes
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2017.03.038
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609017302213
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess*
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/*
dc.subjectBatio3es
dc.subjectMemristive Oxideses
dc.subjectThin Films on Silicones
dc.subject.classificationAstronomíaes
dc.subject.classificationCiencias Físicases
dc.subject.classificationCIENCIAS NATURALES Y EXACTASes
dc.titleBaTiO3 thin films on platinized silicon: Growth, characterization and resistive memory behaviores
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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