Experimental evidence and modeling of non-monotonic responses in MOS dosimeters

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dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"
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dc.conicet.produccionid5399495
dc.contributor.authorFaigon, Adrián Néstor
dc.contributor.authorGarcía Inza, Mariano Andrés
dc.contributor.authorLipovetzky, José
dc.contributor.authorRedin, Eduardo Gabriel
dc.contributor.authorCarbonetto, Sebastián Horacio
dc.contributor.authorSambuco Salomone, Lucas Ignacio
dc.contributor.authorBerbeglia, F.
dc.date.accessioned2017-09-21T22:44:23Z
dc.date.available2017-09-21T22:44:23Z
dc.date.issued2013-05
dc.date.updated2017-09-21T18:55:35Z
dc.description.abstractThe evolution of the threshold voltage of MOS dosimeters during irradiation under switched bias is investigated with the aim of using the sensors with a new biasing technique. The devices response to a bias change does not only depend on the instant threshold voltage and bias, and may lead to non-monotonical behavior under fixed bias following the switch. This work shows experimental evidence for this effect and presents a simple model based on oxide charge buildup and neutralization. The proposed model reproduces the experimental data assuming the existence of two types of hole traps in the oxide. Physical interpretations of the results are discussed.es
dc.description.filFil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.filFil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.filFil: Lipovetzky, José. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.filFil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.filFil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.filFil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.filFil: Berbeglia, F.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.formatapplication/pdfes
dc.identifier.citationFaigon, Adrián Néstor; García Inza, Mariano Andrés; Lipovetzky, José; Redin, Eduardo Gabriel; Carbonetto, Sebastián Horacio; et al.; Experimental evidence and modeling of non-monotonic responses in MOS dosimeters; Elsevier; Radiation Physics and Chemistry (Oxford); 95; 5-2013; 44-46es
dc.identifier.institucionalCONICET
dc.identifier.issn0969-806Xes
dc.identifier.repoCONICET Digital
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11336/24907
dc.journal.ciudadÁmsterdames
dc.journal.pagination44-46es
dc.journal.paisPaíses Bajoses
dc.journal.titleRadiation Physics and Chemistry (Oxford)es
dc.journal.volume95es
dc.language.isoenges
dc.publisherElsevieres
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0969806X13002582
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/j.radphyschem.2013.04.029
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess*
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/*
dc.subjectMos Deviceses
dc.subjectDosimetryes
dc.subjectGamma Rayses
dc.subject.classificationIngeniería de Sistemas y Comunicacioneses
dc.subject.classificationIngeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Informaciónes
dc.subject.classificationINGENIERÍAS Y TECNOLOGÍASes
dc.titleExperimental evidence and modeling of non-monotonic responses in MOS dosimeterses
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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