Análisis de varistores mediante STM y STS

Abstract

Varistores de ZnO fueron estudiados mediante el empleo de microscopía y espectroscopía de efecto túnel. Las curvas de corriente túnel vs. tensión indican que las muestras presentan una conducta rectificante. Dado que la conducción en la zona de pre-ruptura es controlada por la formación de barreras de Schottky en los bordes de grano debidas a la presencia de estados intergranulares, las curvas de densidad de corriente vs. temperatura fueron ajustadas considerando la corriente túnel que atraviesa dichas barreras. La altura de las barreras de Schottky determinada con el modelo es comparada con las alturas obtenidas a través del análisis de barrido por espectroscopía túnel (STS) en la región del borde de grano.ZnO-Varistors have been studied by scanning tunnelling microscopy and spectroscopy. Tunnelling current-voltage characteristics indicate that grains present a rectifying behaviour. Since the prebreakdown zone is controlled by Schottky barriers formed by intergranular states, current density vs. temperature curves were fitted considering the tunnelling current through these barriers. Then, the Schottky barrier heights determined using the model are compared with the barrier heights obtained from the scanning tunnelling spectroscopy analysis in the grain boundary.