Resistance switching and formation of a conductive bridge in metal/binary oxide/metal structure for memory devices

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dc.conicet.fuenteindividual
dc.conicet.organizacionUniversity Of Tokyo
dc.conicet.organizacionUniversity Of Tokyo
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Física de Buenos Aires. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Física de Buenos Aires
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dc.conicet.paisOrganizacionJapón
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dc.conicet.produccionid6306170
dc.contributor.authorFujiwara, Kohei
dc.contributor.authorNemoto, Takumi
dc.contributor.authorRozenberg, Marcelo Javier
dc.contributor.authorNakamura, Yoshinobu
dc.contributor.authorTakagi, Hidenori
dc.date.accessioned2018-10-03T18:11:38Z
dc.date.available2018-10-03T18:11:38Z
dc.date.issued2008-12
dc.date.updated2018-10-03T17:28:34Z
dc.description.abstractThe resistance switching mechanism of a metal/CuO/metal sandwich with a planar device structure has been studied. We report the direct observation of a conducting bridge within the CuO channel of the device, which is formed upon the initial voltage application (forming process). It is found that the resistance switching phenomenon only occurs when just a single bridge is formed during a soft dielectric breakdown. We argue that the reduction and oxidation of this conducting bridge by the action of an applied field and/or current gives rise to a novel nonvolatile memory effect. © 2008 The Japan Society of Applied Physics.es
dc.description.filFil: Fujiwara, Kohei. University Of Tokyo; Japón
dc.description.filFil: Nemoto, Takumi. University Of Tokyo; Japón
dc.description.filFil: Rozenberg, Marcelo Javier. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Física de Buenos Aires. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Física de Buenos Aires; Argentina
dc.description.filFil: Nakamura, Yoshinobu. University Of Tokyo; Japón
dc.description.filFil: Takagi, Hidenori. University Of Tokyo; Japón
dc.formatapplication/pdfes
dc.identifier.citationFujiwara, Kohei; Nemoto, Takumi; Rozenberg, Marcelo Javier; Nakamura, Yoshinobu; Takagi, Hidenori; Resistance switching and formation of a conductive bridge in metal/binary oxide/metal structure for memory devices; Japan Society Applied Physics; Japanese Journal Of Applied Physics; 47; 8 PART 1; 12-2008; 6266-6271es
dc.identifier.institucionalCONICET
dc.identifier.issn0021-4922es
dc.identifier.repoCONICET Digital
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11336/61544
dc.journal.ciudadTokyoes
dc.journal.number8 PART 1es
dc.journal.pagination6266-6271es
dc.journal.paisJapónes
dc.journal.titleJapanese Journal Of Applied Physicses
dc.journal.volume47es
dc.language.isoenges
dc.publisherJapan Society Applied Physicses
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.47.6266
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess*
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/*
dc.subjectCuoes
dc.subjectDielectric Breakdownes
dc.subjectMemory Effectes
dc.subjectReduction-Oxidationes
dc.subjectRerames
dc.subjectResistance Switchinges
dc.subject.classificationAstronomíaes
dc.subject.classificationCiencias Físicases
dc.subject.classificationCIENCIAS NATURALES Y EXACTASes
dc.titleResistance switching and formation of a conductive bridge in metal/binary oxide/metal structure for memory deviceses
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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