Comparative analysis of MIS capacitance structures with high-k dielectrics under gamma, 16O and p Radiation

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dc.conicet.fuenteindividual
dc.conicet.organizacionComisión Nacional de Energía Atómica
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
dc.conicet.organizacionUniversidad de Buenos Aires
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dc.conicet.organizacionConsejo Superior de Investigaciones Científicas
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dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
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dc.conicet.produccionid7108053
dc.contributor.authorQuinteros, C. P.
dc.contributor.authorSambuco Salomone, Lucas Ignacio
dc.contributor.authorRedin, Eduardo Gabriel
dc.contributor.authorRafí, J. M.
dc.contributor.authorZabala, M.
dc.contributor.authorFaigón, A.
dc.contributor.authorPalumbo, Félix Roberto Mario
dc.contributor.authorCampabadal, F.
dc.date.accessioned2023-06-05T13:07:52Z
dc.date.available2023-06-05T13:07:52Z
dc.date.issued2012-03
dc.date.updated2023-06-05T10:08:15Z
dc.description.abstractMIS capacitance structures, with Hafnium Oxide, Alumina and nanolaminate as dielectrics were studied under gamma photons Co, 25 MeV oxygen ions and 10 MeV protons radiation using capacitance-voltage (C-V) characterization. The main trend of the results shows that the nanolaminates stack presents the highest levels of hysteresis and stretch-out of the C-V curves, suggesting that interface layers between dielectrics could play a relevant role in the study of the radiation response.es
dc.description.filFil: Quinteros, C. P.. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.description.filFil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires; Argentina
dc.description.filFil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires; Argentina
dc.description.filFil: Rafí, J. M.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas; España
dc.description.filFil: Zabala, M.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas; España
dc.description.filFil: Faigón, A.. Universidad de Buenos Aires; Argentina
dc.description.filFil: Palumbo, Félix Roberto Mario. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.filFil: Campabadal, F.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas; España
dc.formatapplication/pdfes
dc.identifier.citationQuinteros, C. P.; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Redin, Eduardo Gabriel; Rafí, J. M.; Zabala, M.; et al.; Comparative analysis of MIS capacitance structures with high-k dielectrics under gamma, 16O and p Radiation; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 59; 4 PART 1; 3-2012; 767-772es
dc.identifier.institucionalCONICET
dc.identifier.issn0018-9499es
dc.identifier.repoCONICET Digital
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11336/199518
dc.journal.ciudadNew Yorkes
dc.journal.number4 PART 1es
dc.journal.pagination767-772es
dc.journal.paisEstados Unidoses
dc.journal.titleIeee Transactions on Nuclear Sciencees
dc.journal.volume59es
dc.language.isoenges
dc.publisherInstitute of Electrical and Electronics Engineerses
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://ieeexplore.ieee.org/document/6170909
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2012.2187217
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess*
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/*
dc.subjectHIGH-K GATE DIELECTRICSes
dc.subjectMOS DEVICESes
dc.subjectRADIATION EFFECTSes
dc.subject.classificationOtras Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Informaciónes
dc.subject.classificationIngeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Informaciónes
dc.subject.classificationINGENIERÍAS Y TECNOLOGÍASes
dc.titleComparative analysis of MIS capacitance structures with high-k dielectrics under gamma, 16O and p Radiationes
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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