Tuning the resistive switching properties of TiO2-x films

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dc.conicet.fuenteindividual
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
dc.conicet.organizacionComisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares
dc.conicet.organizacionUniversidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología
dc.conicet.organizacionCIC nanoGUNE
dc.conicet.organizacionUniversidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física
dc.conicet.organizacionUniversité Paris Sud
dc.conicet.organizacionCIC nanoGUNE
dc.conicet.organizacionComisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
dc.conicet.organizacionUniversidad del País Vasco
dc.conicet.organizacionFundación Vasca para la Ciencia
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dc.conicet.produccionid5210732
dc.contributor.authorGhenzi, Néstor
dc.contributor.authorRozenberg, M.J.
dc.contributor.authorLlopis, R.
dc.contributor.authorLevy, Pablo Eduardo
dc.contributor.authorHueso, Luis E.
dc.contributor.authorStoliar, Pablo Alberto
dc.date.accessioned2018-03-09T20:25:46Z
dc.date.available2018-03-09T20:25:46Z
dc.date.issued2015-03
dc.date.updated2018-03-08T18:59:57Z
dc.description.abstractWe study the electrical characteristics of TiO2-x-based resistive switching devices fabricated with different oxygen/argon flow ratio during the oxide thin film sputtering deposition. Upon minute changes in this fabrication parameter, three qualitatively different device characteristics were accessed in the same system, namely, standard bipolar resistive switching, electroforming-free devices, and devices with multi-step breakdown. We propose that small variations in the oxygen/ argon flow ratio result in relevant changes of the oxygen vacancy concentration, which is the key parameter determining the resistive switching behavior. The coexistence of percolative or non-percolative conductive filaments is also discussed. Finally, the hypothesis is verified by means of the temperature dependence of the devices in low resistance state.es
dc.description.filFil: Ghenzi, Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. CIC nanoGUNE; España
dc.description.filFil: Rozenberg, M.J.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina. Université Paris Sud; Francia
dc.description.filFil: Llopis, R.. CIC nanoGUNE; España
dc.description.filFil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.filFil: Hueso, Luis E.. Universidad del País Vasco; España. Fundación Vasca para la Ciencia; España
dc.description.filFil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. CIC nanoGUNE; España
dc.formatapplication/pdfes
dc.identifier.citationGhenzi, Néstor; Rozenberg, M.J.; Llopis, R.; Levy, Pablo Eduardo; Hueso, Luis E.; et al.; Tuning the resistive switching properties of TiO2-x films; American Institute of Physics; Applied Physics Letters; 106; 12; 3-2015; 1-4es
dc.identifier.institucionalCONICET
dc.identifier.issn0003-6951es
dc.identifier.repoCONICET Digital
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11336/38478
dc.journal.ciudadWashington, DCes
dc.journal.number12es
dc.journal.pagination1-4es
dc.journal.paisEstados Unidoses
dc.journal.titleApplied Physics Letterses
dc.journal.volume106es
dc.language.isoenges
dc.publisherAmerican Institute of Physicses
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1063/1.4916516
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4916516
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess*
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/2.5/ar/*
dc.subjectMemory Deviceses
dc.subjectRrames
dc.subjectMemristorses
dc.subjectOxideses
dc.subject.classificationAstronomíaes
dc.subject.classificationCiencias Físicases
dc.subject.classificationCIENCIAS NATURALES Y EXACTASes
dc.titleTuning the resistive switching properties of TiO2-x filmses
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

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