A compact model for binary oxides-based memristive interfaces

Ghenzi, Néstor; Sánchez, María José; Levy, Pablo Eduardo

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dc.conicet.organizacion	Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes
dc.conicet.organizacion	Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
dc.conicet.organizacion	Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche)
dc.conicet.organizacion	Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro
dc.conicet.organizacion	Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
dc.conicet.organizacion	Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes
dc.conicet.organizacion	Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche)
dc.conicet.organizacion	Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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dc.conicet.produccionid	5398069
dc.contributor.author	Ghenzi, Néstor
dc.contributor.author	Sánchez, María José
dc.contributor.author	Levy, Pablo Eduardo
dc.date.accessioned	2017-07-24T17:58:23Z
dc.date.available	2017-07-24T17:58:23Z
dc.date.issued	2013-10
dc.date.updated	2017-07-24T12:49:53Z
dc.description.abstract	We report the resistive switching (RS) characteristics of Al/TiO2/Au memristive cells fabricated in a crossbar array. The measured R–V curves suggest that RS takes place essentially at the Au/TiO2 interface. We propose a model based on the electric field enhanced migration of oxygen vacancies at that interface which reproduces the main features of the experimental data, namely the remnant resistance states and the degradation process. Obtained vacancy profiles at the active region of the junction give insight for the design of improved devices.	es
dc.description.fil	Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina
dc.description.fil	Fil: Sánchez, María José. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.fil	Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.format	application/pdf	es
dc.identifier.citation	Ghenzi, Néstor; Sánchez, María José; Levy, Pablo Eduardo; A compact model for binary oxides-based memristive interfaces; IOP Publishing; Journal of Physics D: Applied Physics; 46; 41; 10-2013; 415101-415101	es
dc.identifier.institucional	CONICET
dc.identifier.issn	0022-3727	es
dc.identifier.repo	CONICET Digital
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11336/21167
dc.journal.ciudad	Bristol	es
dc.journal.number	41	es
dc.journal.pagination	415101-415101	es
dc.journal.pais	Estados Unidos	es
dc.journal.title	Journal of Physics D: Applied Physics	es
dc.journal.volume	46	es
dc.language.iso	eng	es
dc.publisher	IOP Publishing	es
dc.relation.alternativeid	info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/46/41/415101
dc.relation.alternativeid	info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/46/41/415101
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	*
dc.rights.uri	https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/	*
dc.subject	Memristive Cells	es
dc.subject	Au/Tio2 Interface	es
dc.subject.classification	Física de los Materiales Condensados	es
dc.subject.classification	Ciencias Físicas	es
dc.subject.classification	CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS	es
dc.title	A compact model for binary oxides-based memristive interfaces	es
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion

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