Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
; Acquaroli, Leandro Nicolás ; Dussan, A. ; Koropecki, Roberto Roman ; Arce, Roberto Delio Otros responsables
Fecha
09/2012
Editorial
Asociación Física Argentina
Revista
Anales Afa
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Institución organizadora
ISSN
0327-358X
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Idioma
Español
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Resumen
En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada.
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