Evolución fotoinducida de la luminiscencia en silicio poroso

Abstract

Se reportan cambios en la fotoluminiscencia de muestras de silicio poroso expuestas a la atmósfera e iluminadas con luz azul (long = 400 nm). Las muestras fueron preparadas por anodizado electroquímico de obleas de silicio. El pico de fotoluminiscencia de las muestras no expuestas se encuentra centrado alrededor de 655 nm. A medida que transcurre el tiempo de exposición de las muestras, este pico disminuye en intensidad, mientras que se desarrolla uno nuevo centrado alrededor de 580 nm. Resultados de absorción IR ponen de manifiesto un fenómeno de oxidación de las muestras. A diferencia de las muestras expuestas a iluminación, las muestras no expuestas poseen una velocidad de oxidación muy inferior, en tanto que sus espectros de fotoluminiscencia no evolucionan. Los resultados son analizados en términos de un modelo microscópico que contempla la presencia de alambres cuánticos, cuyo diámetro se modifica durante la foto-oxidación produciendo cambios en el gap de confinamiento.