Artículo

The Bulk Band Structure and Inner Potential of Layered In4Se3

 Liu, J. ; Losovyj, Y. B. ; Komesu, T. ; Dowben, P.A. ; Makinistian, Leonardo Icon; Albanesi, Eduardo Aldo Icon; Petukhov, A.G. ; Galiy, P. ; Fiyala, Y.

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Fecha

12/2008

Editorial

Elsevier Science

Revista

Applied Surface Science

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Fecha del evento

Institución organizadora

ISSN

0169-4332

eISSN

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Idioma

Inglés

Tipo del evento

Clasificación temática

Otras Ciencias Físicas

Palabras clave

Layered Semiconductors , Bulk Band Structure , Photoemission , Fp-Lapw

Resumen

The layered In4Se3 system does have a bulk band structure (i.e. discernable and significant band dispersion) perpendicular to the cleavage plane. Band widths (the extent of dispersion) of 300 meV or more are observed, for In-p and Se-p weighted bands within the valence region, and is indicative of a bulk band structure. Two-dimensionality of state is clearly not conserved, and there must exist interactions between layers sufficient to support a bulk band structure.

URI

http://hdl.handle.net/11336/25400

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Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/25400
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.01.061
URL: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433208000615
Citación
Liu, J.; Losovyj, Y. B.; Komesu, T.; Dowben, P.A.; Makinistian, Leonardo; et al.; The Bulk Band Structure and Inner Potential of Layered In4Se3; Elsevier Science; Applied Surface Science; 254; 12-2008; 4322-4325
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