Confinamiento cuántico en películas delgadas de PbS thin Films

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Fecha
12/2006
Editorial
Asociación Física Argentina
Revista
Anales de La Asociación Física Argentina
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ISSN
1850-1158
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Español
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Resumen
Espectroscopía difusa UV-V, sobre películas delgadas de PbS submicrométrico, sintetizadas por sulfuración anódica a potencial controlado de plomo, demuestran la presencia de fenómenos de confinamiento cuántico, que cambian el ancho de la banda prohibida de 0.286 eV , característico para un monocristal, a 2.4 eV, cuando la granulometría media, evaluada por el método de Scherrer, es de 8 nm, inferior al excitón de Bohr de 18 nm, consistente con masas efectivas de 0.085 para los Espectroscopía difusa UV-V, sobre películas delgadas de PbS submicrométrico, sintetizadas por sulfuración anódica a potencial controlado de plomo, demuestran la presencia de fenómenos de confinamiento cuántico, que cambian el ancho de la banda prohibida de 0.286 eV , característico para un monocristal, a 2.4 eV, cuando la granulometría media, evaluada por el método de Scherrer, es de 8 nm, inferior al excitón de Bohr de 18 nm, consistente con masas efectivas de 0.085 para los portadores de PbS. Las propiedades fotoconductoras pueden optimizarse para bandas espectrales específicas.
Diffuse UV-V espectroscopy of submicrometric PbS thin films, prepared by controlled potencial lead anodic sulphuration, evidence quantum confinement phenomena, which alter the semiconductor gap from 0.286 eV in bulk, to 2.4 eV, when the Scherrer mean grain size is 8nm, below the Bohr exiton value of 18 nm, consistent with effective mass 0.085, for PbS carriers. Fotoconducting propierties may be optimized for specific spectral bands.
Diffuse UV-V espectroscopy of submicrometric PbS thin films, prepared by controlled potencial lead anodic sulphuration, evidence quantum confinement phenomena, which alter the semiconductor gap from 0.286 eV in bulk, to 2.4 eV, when the Scherrer mean grain size is 8nm, below the Bohr exiton value of 18 nm, consistent with effective mass 0.085, for PbS carriers. Fotoconducting propierties may be optimized for specific spectral bands.
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