Numerical modeling of total dose effects on CD4007 MOSFET during switched-bias irradiation

Volver a la Vista simple
dc.conicet.fuenteCrossref
dc.conicet.organizacionUniversidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
dc.conicet.organizacionComisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"
dc.conicet.organizacionConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"
dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
dc.conicet.paisOrganizacionArgentina
dc.conicet.produccionid12143250
dc.contributor.authorSambuco Salomone, Lucas Ignacio
dc.contributor.authorGarcía Inza, Mariano Andrés
dc.contributor.authorLipovetzky, José
dc.contributor.authorCassani, María Victoria
dc.contributor.authorRedin, Eduardo Gabriel
dc.contributor.authorFaigon, Adrián Néstor
dc.contributor.authorCarbonetto, Sebastián Horacio
dc.date.accessioned2025-05-15T12:05:04Z
dc.date.available2025-05-15T12:05:04Z
dc.date.issued2024-09
dc.date.updated2025-05-14T12:34:41Z
dc.description.abstractThe response of commercial-off-the-shelf CD4007 p-channel MOSFET exposed to 60Co radiation under switched-bias conditions is studied by real time monitoring the threshold voltage evolution with accumulated dose. The possibility to employ switched-bias techniques to recover threshold voltage is demonstrated. As reported for other devices, non-monotonic responses are observed. A physics-based numerical model that takes into account both charge buildup within the oxide and generation of interface traps is employed to reproduce the experimental results. The implications for dosimetry are discussed.es
dc.description.filFil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.filFil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.filFil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina
dc.description.filFil: Cassani, María Victoria. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.filFil: Redin, Eduardo Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.filFil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.filFil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.formatapplication/pdfes
dc.identifier.citationSambuco Salomone, Lucas Ignacio; García Inza, Mariano Andrés; Lipovetzky, José; Cassani, María Victoria; Redin, Eduardo Gabriel; et al.; Numerical modeling of total dose effects on CD4007 MOSFET during switched-bias irradiation; Pergamon-Elsevier Science Ltd; Microelectronics Reliability; 160; 9-2024; 1-7es
dc.identifier.institucionalCONICET
dc.identifier.issn0026-2714es
dc.identifier.repoCONICET Digital
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11336/261642
dc.journal.pagination1-7es
dc.journal.paisEstados Unidoses
dc.journal.titleMicroelectronics Reliabilityes
dc.journal.volume160es
dc.language.isoenges
dc.publisherPergamon-Elsevier Science Ltdes
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S0026271424001483
dc.relation.alternativeidinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2024.115468
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccess*
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/*
dc.subjectMOSFETSes
dc.subjectRADIATION EFFECTSes
dc.subjectSOLID-STATE DETECTORSes
dc.subject.classificationIngeniería Eléctrica y Electrónicaes
dc.subject.classificationIngeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Informaciónes
dc.subject.classificationINGENIERÍAS Y TECNOLOGÍASes
dc.titleNumerical modeling of total dose effects on CD4007 MOSFET during switched-bias irradiationes
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/artículo
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion

Archivos

Bloque original

Miniatura
Nombre:
CONICET_Digital_Nro.28222d6f-cce9-40b1-90ce-e20c4efb4864_B.pdf
Tamaño:
1.58 MB
Formato:
Adobe Portable Document Format
Solicitar

Colecciones

Articulos(INTECIN)
Articulos(SEDE CENTRAL)
Volver a la Vista simple