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Effect of forming gas annealing on the degradation properties of Ge-based MOS stacks 110 832

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Francia 1
Reino Unido 1
Rusia 1
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Fairfield 11
San Ramon 6
Cambridge 3
Claypole 3
Columbus 2
Lanus 2
San Diego 2
Seattle 2
Villa Angelica 2
Sin datos* 52

*Sin datos: En origen no se informa País o Ciudad.