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dc.contributor.author
Cornet, D. M.
dc.contributor.author
LaPierre, R. R
dc.contributor.author
Pusep, Yu A.
dc.contributor.author
Comedi, David Mario
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dc.date.available
2019-10-11T13:37:31Z
dc.date.issued
2006-12
dc.identifier.citation
Cornet, D. M.; LaPierre, R. R; Pusep, Yu A.; Comedi, David Mario; High resolution X-Ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices; American Institute of Physics; Journal of Applied Physics; 100; 12-2006; 1-6
dc.identifier.issn
0021-8979
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/85672
dc.description.abstract
The interfacial properties of lattice-matched InGaAs/InP superlattice (SL) structures grown by gas source molecular beam epitaxy were investigated by high resolution x-ray diffraction (HRXRD). SLs with various periods were grown to determine the contributions of the interface layers to the structural properties of the SLs. The HRXRD curves exhibited a number of features indicative of interfacial layers, including weak even-order satellite peaks, and a zero-order diffraction peak that shifted toward lower diffraction angles with decreasing SL period. A detailed structural model is proposed to explain these observations, consisting of strained InAsP and InGaAsP monolayers due to the group-V gas switching and atomic exchange at the SL interfaces.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
American Institute of Physics
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
InGaAs/InP
dc.subject
superlattice
dc.subject
X-ray diffraction
dc.subject
InGaAsP
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.title
High resolution X-Ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2019-09-30T20:45:24Z
dc.journal.volume
100
dc.journal.pagination
1-6
dc.journal.pais
Estados Unidos
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dc.journal.ciudad
New York
dc.description.fil
Fil: Cornet, D. M.. Mc Master University; Canadá
dc.description.fil
Fil: LaPierre, R. R. Mc Master University; Canadá
dc.description.fil
Fil: Pusep, Yu A.. Universidade de São Paulo; Brasil
dc.description.fil
Fil: Comedi, David Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Tucumán; Argentina
dc.journal.title
Journal of Applied Physics
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://dx.doi.org/10.1063/1.2335689
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.2335689
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