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dc.contributor.author
Lombardi, Rina  
dc.contributor.author
Aragon, Ricardo  
dc.date.available
2019-08-21T20:14:12Z  
dc.date.issued
2010-02  
dc.identifier.citation
Lombardi, Rina; Aragon, Ricardo; MOS device chemical response reversal with temperature; Elsevier Science Sa; Sensors and Actuators B: Chemical; 144; 2; 2-2010; 457-461  
dc.identifier.issn
0925-4005  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/81936  
dc.description.abstract
Biased above threshold (VT), pulsed photocurrent (u) measurements on windowed silicon Pd gate MOS capacitors are shifted (ΔV) negatively by H2/N2, whereas Au gates shift positively under NO2/air. Below VT, the shifts are reversed by adjustments of interface state population. Minor temperature increases may coax the device from inversion to depletion, inducing sign reversal of the chemical response.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
Elsevier Science Sa  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/  
dc.subject
Chemical Sensitivity  
dc.subject
Mos Capacitors  
dc.subject
Response Reversal  
dc.subject
Threshold Voltage  
dc.subject.classification
Recubrimientos y Películas  
dc.subject.classification
Ingeniería de los Materiales  
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS  
dc.title
MOS device chemical response reversal with temperature  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2019-08-21T13:49:40Z  
dc.journal.volume
144  
dc.journal.number
2  
dc.journal.pagination
457-461  
dc.journal.pais
Países Bajos  
dc.journal.ciudad
Amsterdam  
dc.description.fil
Fil: Lombardi, Rina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Aragon, Ricardo. Universidad Nacional de San Martín; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. Centro de Investigaciones en Sólidos; Argentina  
dc.journal.title
Sensors and Actuators B: Chemical  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2009.03.072  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925400509002998  

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Formato: PDF
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