MOS device chemical response reversal with temperature

Lombardi, Rina; Aragon, Ricardo

doi:10.1016/j.snb.2009.03.072

Artículo

MOS device chemical response reversal with temperature

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Fecha de publicación: 02/2010

Editorial: Elsevier Science Sa

Revista: Sensors and Actuators B: Chemical

ISSN: 0925-4005

Idioma: Inglés

Tipo de recurso: Artículo publicado

Clasificación temática:

Recubrimientos y Películas

Resumen

Biased above threshold (VT), pulsed photocurrent (u) measurements on windowed silicon Pd gate MOS capacitors are shifted (ΔV) negatively by H2/N2, whereas Au gates shift positively under NO2/air. Below VT, the shifts are reversed by adjustments of interface state population. Minor temperature increases may coax the device from inversion to depletion, inducing sign reversal of the chemical response.

Palabras clave: Chemical Sensitivity , Mos Capacitors , Response Reversal , Threshold Voltage

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Identificadores

URI: http://hdl.handle.net/11336/81936

DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2009.03.072

URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925400509002998

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Citación

Lombardi, Rina; Aragon, Ricardo; MOS device chemical response reversal with temperature; Elsevier Science Sa; Sensors and Actuators B: Chemical; 144; 2; 2-2010; 457-461

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