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Artículo

Strong electron correlation effects in nonvolatile electronic memory devices

Rozenberg, Marcelo JavierIcon ; Inoue, I. H.; Sánchez, María JoséIcon
Fecha de publicación: 12/2006
Editorial: American Institute of Physics
Revista: Applied Physics Letters
ISSN: 0003-6951
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Astronomía

Resumen

We investigate hysteresis effects in a model for nonvolatile memory devices. Two mechanisms are found to produce hysteresis effects qualitatively similar to those often experimentally observed in heterostructures of transition metal oxides. One of them is a switching effect based on a metal-insulator transition due to strong electron correlations at the dielectric/metal interface. The observed resistance switching phenomenon could be the experimental realization of a strongly correlated electron device.
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Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/70655
DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2164917
URL: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.2164917
Colecciones
Articulos(CCT - PATAGONIA NORTE)
Articulos de CTRO.CIENTIFICO TECNOL.CONICET - PATAGONIA NORTE
Articulos(IFIBA)
Articulos de INST.DE FISICA DE BUENOS AIRES
Citación
Rozenberg, Marcelo Javier; Inoue, I. H.; Sánchez, María José; Strong electron correlation effects in nonvolatile electronic memory devices; American Institute of Physics; Applied Physics Letters; 88; 3; 12-2006; 1-3; 033510
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