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dc.contributor.author
Ponce, Miguel Adolfo
dc.contributor.author
Castro, Miriam Susana
dc.contributor.author
Aldao, Celso Manuel
dc.date.available
2018-12-10T14:13:19Z
dc.date.issued
2008-02-05
dc.identifier.citation
Ponce, Miguel Adolfo; Castro, Miriam Susana; Aldao, Celso Manuel; Capacitance and resistance measurements of SnO2 thick-films; Springer; Journal of Materials Science: Materials in Electronics; 20; 1; 5-2-2008; 25-32
dc.identifier.issn
0957-4522
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/66154
dc.description.abstract
Impedance spectroscopy measurements on SnO2 thick films were carried out in an air atmosphere and for temperatures between 25 0C and 425 0C. Capacitance and resistance analyses reveal the mechanisms responsible for experimental responses. Four different contributions to the overall capacitance and resistance were distinguished and assigned to the bulk, the grain boundary, the electrodes, and the presence of deep traps. The effects of trap states on the electrical behavior of the sensor were explored and a modified equivalent circuit model is proposed.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Springer
dc.rights
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Sno2
dc.subject
Gas Sencors
dc.subject
Schottky Barriers
dc.subject
Conduction
dc.subject
Equivalent Circuit
dc.subject
Constant Phase Element
dc.subject
Corner Frequency
dc.subject
Circuit Element
dc.subject.classification
Sensores Remotos
dc.subject.classification
Ingeniería del Medio Ambiente
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
dc.subject.classification
Recubrimientos y Películas
dc.subject.classification
Ingeniería de los Materiales
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
dc.title
Capacitance and resistance measurements of SnO2 thick-films
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2018-11-22T15:30:51Z
dc.identifier.eissn
1573-482X
dc.journal.volume
20
dc.journal.number
1
dc.journal.pagination
25-32
dc.journal.pais
Alemania
dc.journal.ciudad
Berlín
dc.description.fil
Fil: Ponce, Miguel Adolfo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
dc.description.fil
Fil: Castro, Miriam Susana. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
dc.description.fil
Fil: Aldao, Celso Manuel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
dc.journal.title
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://link.springer.com/article/10.1007/s10854-008-9590-8
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://dx.doi.org/10.1007/s10854-008-9590-8
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Tamaño:
320.3Kb
Formato:
PDF