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dc.contributor.author
Ponce, Miguel Adolfo  
dc.contributor.author
Castro, Miriam Susana  
dc.contributor.author
Aldao, Celso Manuel  
dc.date.available
2018-12-10T14:13:19Z  
dc.date.issued
2008-02-05  
dc.identifier.citation
Ponce, Miguel Adolfo; Castro, Miriam Susana; Aldao, Celso Manuel; Capacitance and resistance measurements of SnO2 thick-films; Springer; Journal of Materials Science: Materials in Electronics; 20; 1; 5-2-2008; 25-32  
dc.identifier.issn
0957-4522  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/66154  
dc.description.abstract
Impedance spectroscopy measurements on SnO2 thick films were carried out in an air atmosphere and for temperatures between 25 0C and 425 0C.  Capacitance and resistance analyses reveal the mechanisms responsible for experimental responses.  Four different contributions to the overall capacitance and resistance were distinguished and assigned to the bulk, the grain boundary, the electrodes, and the presence of deep traps. The effects of trap states on the electrical behavior of the sensor were explored and a modified equivalent circuit model is proposed.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
Springer  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/  
dc.subject
Sno2  
dc.subject
Gas Sencors  
dc.subject
Schottky Barriers  
dc.subject
Conduction  
dc.subject
Equivalent Circuit  
dc.subject
Constant Phase Element  
dc.subject
Corner Frequency  
dc.subject
Circuit Element  
dc.subject.classification
Sensores Remotos  
dc.subject.classification
Ingeniería del Medio Ambiente  
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS  
dc.subject.classification
Recubrimientos y Películas  
dc.subject.classification
Ingeniería de los Materiales  
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS  
dc.title
Capacitance and resistance measurements of SnO2 thick-films  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2018-11-22T15:30:51Z  
dc.identifier.eissn
1573-482X  
dc.journal.volume
20  
dc.journal.number
1  
dc.journal.pagination
25-32  
dc.journal.pais
Estados Unidos  
dc.journal.ciudad
Norwell  
dc.description.fil
Fil: Ponce, Miguel Adolfo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Castro, Miriam Susana. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Aldao, Celso Manuel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina  
dc.journal.title
Journal of Materials Science: Materials in Electronics  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://link.springer.com/article/10.1007/s10854-008-9590-8  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://dx.doi.org/10.1007/s10854-008-9590-8