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dc.contributor.author
D'elia, Raul Luis
dc.contributor.author
Aguirre, Myriam H.
dc.contributor.author
Heredia, Eduardo Armando
dc.contributor.author
Di Stefano, María Cristina
dc.contributor.author
Martínez, Ana M.
dc.contributor.author
Tolley, Alfredo Juan
dc.contributor.author
Núñez García, Javier Luis Mariano
dc.contributor.author
Geraci, Adriano Esteban
dc.contributor.author
Cabanillas, Edgardo Domingo
dc.contributor.author
Canepa, Horacio Ricardo
dc.contributor.author
Trigubo, Alicia Beatriz
dc.date.available
2018-05-08T19:30:07Z
dc.date.issued
2015-12
dc.identifier.citation
D'elia, Raul Luis; Aguirre, Myriam H.; Heredia, Eduardo Armando; Di Stefano, María Cristina; Martínez, Ana M.; et al.; Chemical Etching and TEM Crystalline Quality Assessment of Single Crystalline ZnSe Ingots Grown by I2 Vapor Phase Transport; Cosmos Scholars Publishing House; International Journal of Advanced Applied Physics Research; 2; 12-2015; 28-34
dc.identifier.issn
2408-977X
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/44481
dc.description.abstract
Crystalline defects were studied in single crystalline ZnSe grown by chemical transport using I2 as gaseous carrier. Transmission electronic microscopy determined an excellent structural order in the micrometric and nanometric range. Larger material areas were studied by chemical etching using different reagents to determine average dislocations density and average adjacent subgrains misorientation. Comparable micrographic results of different reagents are shown. Characterization values of ZnSe commercial substrate grown by High Pressure Bridgman (HPB) have been compared to those that correspond to our grown material wafers. Characterization proved that the semiconductor crystalline quality in our wafers is appropriate for optical devices.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Cosmos Scholars Publishing House
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Single Crystalline Znse
dc.subject
Ii-Vi Semiconductors
dc.subject
(I2) Chemical Transport
dc.subject
Chemical Etching
dc.subject.classification
Recubrimientos y Películas
dc.subject.classification
Ingeniería de los Materiales
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
dc.title
Chemical Etching and TEM Crystalline Quality Assessment of Single Crystalline ZnSe Ingots Grown by I2 Vapor Phase Transport
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2018-05-04T14:55:10Z
dc.journal.volume
2
dc.journal.pagination
28-34
dc.journal.pais
Estados Unidos
dc.description.fil
Fil: D'elia, Raul Luis. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
dc.description.fil
Fil: Aguirre, Myriam H.. Universidad de Zaragoza; España
dc.description.fil
Fil: Heredia, Eduardo Armando. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
dc.description.fil
Fil: Di Stefano, María Cristina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
dc.description.fil
Fil: Martínez, Ana M.. Universidad Nacional de Misiones; Argentina
dc.description.fil
Fil: Tolley, Alfredo Juan. Comisión Nacional de Energía Atómica. Fundación José A. Balseiro; Argentina
dc.description.fil
Fil: Núñez García, Javier Luis Mariano. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
dc.description.fil
Fil: Geraci, Adriano Esteban. Comisión Nacional de Energía Atómica. Fundación José A. Balseiro; Argentina
dc.description.fil
Fil: Cabanillas, Edgardo Domingo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
dc.description.fil
Fil: Canepa, Horacio Ricardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
dc.description.fil
Fil: Trigubo, Alicia Beatriz. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
dc.journal.title
International Journal of Advanced Applied Physics Research
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.cosmosscholars.com/cs-ijaapr/48-abstracts/ijaapr/464-abstract-chemical-etching-and-tem-crystalline-quality-assessment-of-single-crystalline-znse-ingots-grown-by-i2-vapor-phase-transport
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.15379/2408-977X.2015.02.02.5
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Formato:
PDF