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Resistive switching dependence on atomic layer deposition parameters in HfO2-based memory devices 104 30

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de los últimos 6 meses

noviembre 2024
4

Cantidad de accesos por país

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Estados Unidos 34
Holanda 20
Alemania 6
Irlanda 5
Argentina 3
Suiza 2
Rusia 2
España 1
Corea del Sur 1
México 1
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Cantidad de accesos por ciudad

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Fairfield 10
Ashburn 9
San Ramon 6
Mountain View 2
San Diego 2
Seattle 2
Cambridge 1
Columbus 1
Hermosillo 1
Lanus 1
Sin datos* 69

*Sin datos: En origen no se informa País o Ciudad.