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dc.contributor.author
Marín Ramírez, Oscar Alonso
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dc.contributor.author
Gennaro, Ana Maria
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dc.contributor.author
Tirado, Monica Cecilia
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dc.contributor.author
Koropecki, Roberto Roman
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dc.contributor.author
Comedi, David Mario
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dc.date.available
2017-12-11T22:15:35Z
dc.date.issued
2015-03
dc.identifier.citation
Marín Ramírez, Oscar Alonso; Gennaro, Ana Maria; Tirado, Monica Cecilia; Koropecki, Roberto Roman; Comedi, David Mario; White light from annealed porous silicon: Broadband emission from violet to the near infrared; Elsevier Science; Materials Letters; 150; 3-2015; 55-58
dc.identifier.issn
0167-577X
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/30225
dc.description.abstract
We report white light emission under UV excitation from porous silicon (PS) samples annealed at different temperatures and surrounding atmospheres. The photoluminescence (PL) spectra show a broad emission from ultraviolet to near infrared. Annealed PS samples were studied by photoluminescence, FTIR and EPR spectroscopies. The PL spectra were found to include three main components centered at the violet, green and infrared. The FTIR experiments suggest the formation of a system composed by silicon nanocrystals embedded in a nonstoichiometric silicon oxide matrix (nc-Si/SiOx). The EPR measurements reveal the existence of the well-know Pb0 (g~2.007) and Pb1 (g~2.004) centres, and of a signal at g~1.9997. The combined PL, FTIR and EPR results suggest that violet and green emissions come from oxygen-excess defects in SiOx while the infrared emission is related to defects located at Si/SiOx interfaces.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Elsevier Science
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/ar/
dc.subject
White Light Emission
dc.subject
Photoluminescence
dc.subject
Porous Silicon
dc.subject
Silicon Dioxide
dc.subject.classification
Astronomía
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.title
White light from annealed porous silicon: Broadband emission from violet to the near infrared
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2016-02-23T16:45:38Z
dc.journal.volume
150
dc.journal.pagination
55-58
dc.journal.pais
Países Bajos
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dc.journal.ciudad
Amsterdam
dc.description.fil
Fil: Marín Ramírez, Oscar Alonso. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnologia; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.fil
Fil: Gennaro, Ana Maria. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Física del Litoral. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Física del Litoral; Argentina
dc.description.fil
Fil: Tirado, Monica Cecilia. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnologia; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.fil
Fil: Koropecki, Roberto Roman. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Física del Litoral. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Física del Litoral; Argentina
dc.description.fil
Fil: Comedi, David Mario. Universidad Catolica de la Plata. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.journal.title
Materials Letters
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2015.03.003
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167577X15003572
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