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dc.contributor.author
Stoliar, Pablo Alberto
dc.contributor.author
Levy, Pablo Eduardo
dc.contributor.author
Sánchez, María José
dc.contributor.author
Leiva, A. G.
dc.contributor.author
Albornoz, C.A.
dc.contributor.author
Gomez Marlasca, F.
dc.contributor.author
Zanini, A.
dc.contributor.author
Toro Salazar, Cinthya Emma
dc.contributor.author
Ghenzi, N.
dc.contributor.author
Rozenberg, M. J.
dc.date.available
2017-12-01T18:33:31Z
dc.date.issued
2014-01-13
dc.identifier.citation
Stoliar, Pablo Alberto; Levy, Pablo Eduardo; Sánchez, María José; Leiva, A. G.; Albornoz, C.A.; et al.; Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions On Circuits And Systems Ii-analog And Digital Signal Processing; 61; 1; 13-1-2014; 21-25
dc.identifier.issn
1057-7130
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/29485
dc.description.abstract
We study the resistive switching (RS) mechanism as way to obtain multi-level memory cell (MLC) devices. In a MLC more than one bit of information can be stored in each cell. Here we identify one of the main conceptual difficulties that prevented the implementation of RS-based MLCs. We present a method to overcome these difficulties and to implement a 6-bit MLC device with a manganite-based RS device. This is done by precisely setting the remnant resistance of the RS-device to an arbitrary value. Our MLC system demonstrates that transition metal oxide non-volatile memories may compete with the currently available MLCs. Index Terms?Multilevel cell, Resistive switching, Non-volatile memory, ReRAM .
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Institute of Electrical and Electronics Engineers
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Multilevel Cell
dc.subject
Non-Volatile Memory
dc.subject
Resistive Switching
dc.subject
Reram
dc.subject.classification
Ingeniería de Sistemas y Comunicaciones
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
dc.title
Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2017-09-29T16:35:59Z
dc.journal.volume
61
dc.journal.number
1
dc.journal.pagination
21-25
dc.journal.pais
Estados Unidos
dc.journal.ciudad
Washington
dc.description.fil
Fil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martin. Escuela de Ciencia y Tecnología. Centro Internacional de Estudios Avanzados.; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
dc.description.fil
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
dc.description.fil
Fil: Sánchez, María José. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.description.fil
Fil: Leiva, A. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina. Universidad Nacional de San Martin. Escuela de Ciencia y Tecnología. Centro Internacional de Estudios Avanzados.; Argentina
dc.description.fil
Fil: Albornoz, C.A.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
dc.description.fil
Fil: Gomez Marlasca, F.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
dc.description.fil
Fil: Zanini, A.. Universidad de Buenos Aires; Argentina
dc.description.fil
Fil: Toro Salazar, Cinthya Emma. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
dc.description.fil
Fil: Ghenzi, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
dc.description.fil
Fil: Rozenberg, M. J.. Universidad de Buenos Aires; Argentina
dc.journal.title
Ieee Transactions On Circuits And Systems Ii-analog And Digital Signal Processing
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1109/TCSII.2013.2290921
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6689338/?reload=true
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743.6Kb
Formato:
PDF