Estadísticas de visualización y descarga
Número total de visitas
desde el momento de su depósito en el Repositorio CONICET Digital
| Título | Visualizaciones | Descargas |
|---|---|---|
| Comparative study of CNT, silicon nanowire and fullerene embedded multilayer high-k gate dielectric MOS memory devices | 76 | 22 |
Visitas al mes
de los últimos 6 meses
| diciembre 2025 | enero 2026 | febrero 2026 |
|---|---|---|
| 46 | 28 | 2 |
Cantidad de accesos por país
| Visualizaciones | |
|---|---|
| Estados Unidos | 48 |
| Suiza | 13 |
| Brasil | 4 |
| Alemania | 3 |
| Reino Unido | 3 |
| Chile | 1 |
| China | 1 |
| Iraq | 1 |
| Kazajstán | 1 |
| Sin datos* | 1 |
Cantidad de accesos por ciudad
| Visualizaciones | |
|---|---|
| Boydton | 11 |
| Ashburn | 7 |
| Almaty | 1 |
| Baghdad | 1 |
| Boardman | 1 |
| Chicago | 1 |
| Colombo | 1 |
| Goiânia | 1 |
| Grenzach-Wyhlen | 1 |
| Huangpu | 1 |
| Sin datos* | 50 |
*Sin datos: En origen no se informa País o Ciudad.