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dc.contributor.author
Gorchon, J.
dc.contributor.author
Curiale, Carlos Javier
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dc.contributor.author
Lemaître, A.
dc.contributor.author
Moisan, N.
dc.contributor.author
Cubukcu, M.
dc.contributor.author
Malinowski, G.
dc.contributor.author
Ulysse, C.
dc.contributor.author
Faini, G.
dc.contributor.author
Von Bardeleben, H.J.
dc.contributor.author
Jeudy, V.
dc.date.available
2017-11-03T15:37:19Z
dc.date.issued
2014-01-14
dc.identifier.citation
Gorchon, J.; Curiale, Carlos Javier; Lemaître, A.; Moisan, N.; Cubukcu, M.; et al.; Stochastic Current-Induced Magnetization Switching in a Single Semiconducting Ferromagnetic Layer; American Physical Society; Physical Review Letters; 112; 2; 14-1-2014; 026601,1-5
dc.identifier.issn
0031-9007
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/27543
dc.description.abstract
We show experimental evidence of magnetization switching in a single (Ga,Mn)(As,P) semiconducting ferromagnetic layer, attributed to a strong reduction of the magnetization and the anisotropy due to current injection. The nucleation of magnetization reversal is found to occur even in the absence of a magnetic field and to be both anisotropic and stochastic. Our findings highlight a new mechanism of magnetization manipulation based on spin accumulation in a semiconductor material.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
American Physical Society
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Spin Accumulation
dc.subject
Domain Wall Dynamics
dc.subject
Ferromagnetic Semiconductors
dc.subject.classification
Otras Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.subject.classification
Nano-materiales
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dc.subject.classification
Nanotecnología
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dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
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dc.title
Stochastic Current-Induced Magnetization Switching in a Single Semiconducting Ferromagnetic Layer
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2017-09-11T13:59:02Z
dc.journal.volume
112
dc.journal.number
2
dc.journal.pagination
026601,1-5
dc.journal.pais
Estados Unidos
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dc.journal.ciudad
Nueva York
dc.description.fil
Fil: Gorchon, J.. Universite Paris Sud; Francia
dc.description.fil
Fil: Curiale, Carlos Javier. Universite Paris Sud; Francia. Laboratoire de Photonique et de Nanostructures; Francia. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comision Nacional de Energía Atómica. Gerencia de Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche). División Resonancias Magnéticas; Argentina
dc.description.fil
Fil: Lemaître, A.. Laboratoire de Photonique et de Nanostructures; Francia
dc.description.fil
Fil: Moisan, N.. Universite Paris Sud; Francia
dc.description.fil
Fil: Cubukcu, M.. Universite Pierre et Marie Curie; Francia
dc.description.fil
Fil: Malinowski, G.. Universite Paris Sud; Francia
dc.description.fil
Fil: Ulysse, C.. Laboratoire de Photonique et de Nanostructures; Francia
dc.description.fil
Fil: Faini, G.. Laboratoire de Photonique et de Nanostructures; Francia
dc.description.fil
Fil: Von Bardeleben, H.J.. Universite Pierre et Marie Curie; Francia
dc.description.fil
Fil: Jeudy, V.. Universite Paris Sud; Francia. Université Cergy-Pontoise; Francia
dc.journal.title
Physical Review Letters
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.112.026601
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.112.026601
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.ncbi.nlm.nih.gov/labs/articles/24484033/
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