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dc.contributor.author
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
dc.contributor.author
García Inza, Mariano Andrés
dc.contributor.author
Lipovetzky, José
dc.contributor.author
Cassani, María Victoria
dc.contributor.author
Redin, Eduardo Gabriel
dc.contributor.author
Faigon, Adrián Néstor
dc.contributor.author
Carbonetto, Sebastián Horacio
dc.date.available
2025-05-15T12:05:04Z
dc.date.issued
2024-09
dc.identifier.citation
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; García Inza, Mariano Andrés; Lipovetzky, José; Cassani, María Victoria; Redin, Eduardo Gabriel; et al.; Numerical modeling of total dose effects on CD4007 MOSFET during switched-bias irradiation; Pergamon-Elsevier Science Ltd; Microelectronics Reliability; 160; 9-2024; 1-7
dc.identifier.issn
0026-2714
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/261642
dc.description.abstract
The response of commercial-off-the-shelf CD4007 p-channel MOSFET exposed to 60Co radiation under switched-bias conditions is studied by real time monitoring the threshold voltage evolution with accumulated dose. The possibility to employ switched-bias techniques to recover threshold voltage is demonstrated. As reported for other devices, non-monotonic responses are observed. A physics-based numerical model that takes into account both charge buildup within the oxide and generation of interface traps is employed to reproduce the experimental results. The implications for dosimetry are discussed.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Pergamon-Elsevier Science Ltd
dc.rights
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
MOSFETS
dc.subject
RADIATION EFFECTS
dc.subject
SOLID-STATE DETECTORS
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
dc.title
Numerical modeling of total dose effects on CD4007 MOSFET during switched-bias irradiation
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2025-05-14T12:34:41Z
dc.journal.volume
160
dc.journal.pagination
1-7
dc.journal.pais
Estados Unidos
dc.description.fil
Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.fil
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina
dc.description.fil
Fil: Cassani, María Victoria. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.journal.title
Microelectronics Reliability
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S0026271424001483
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2024.115468
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PDF