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dc.contributor.author
Rubi, Diego  
dc.contributor.author
Tesler, Federico Ariel  
dc.contributor.author
Alposta, I.  
dc.contributor.author
Kalstein, Ariel  
dc.contributor.author
Ghenzi, Néstor  
dc.contributor.author
Gomez Marlasca, F.  
dc.contributor.author
Rozenberg, Marcelo Javier  
dc.contributor.author
Levy, Pablo Eduardo  
dc.date.available
2017-09-29T15:54:20Z  
dc.date.issued
2013-10  
dc.identifier.citation
Rubi, Diego; Tesler, Federico Ariel; Alposta, I.; Kalstein, Ariel; Ghenzi, Néstor; et al.; Two resistive switching regimes in thin film manganite memory devices on silicon; American Institute of Physics; Applied Physics Letters; 103; 16; 10-2013; 1-6; 163506  
dc.identifier.issn
0003-6951  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/25422  
dc.description.abstract
Bipolar resistive switching in low cost n-Si/La2/3Ca1/3MnO3/M (M¼TiþCu) devices was investigated. For low SET compliance currents (CC), an interfacial-related resistive switching mechanism, associated to the migration of oxygen vacancies close to the manganite/metal interface, is operative. Simulations using the voltage enhanced oxygen vacancies drift model validate our experimental results. When further increasing the CC, we have observed the onset of a second, filamentary, resistive switching regime with a concomitant collapse of the ON/OFF ratio. We finally demonstrate that it is possible to delay the onset of the filamentary regime by controlling the film thickness.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
American Institute of Physics  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by/2.5/ar/  
dc.subject
Memory Device  
dc.subject
Memristor  
dc.subject
Nanotechnology  
dc.subject
Reram  
dc.subject.classification
Otras Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS  
dc.title
Two resistive switching regimes in thin film manganite memory devices on silicon  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2017-09-28T18:13:14Z  
dc.journal.volume
103  
dc.journal.number
16  
dc.journal.pagination
1-6; 163506  
dc.journal.pais
Estados Unidos  
dc.journal.ciudad
Maryland  
dc.description.fil
Fil: Rubi, Diego. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Tesler, Federico Ariel. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Alposta, I.. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Kalstein, Ariel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Gomez Marlasca, F.. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Rozenberg, Marcelo Javier. Universite Paris Sud; Francia. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina  
dc.journal.title
Applied Physics Letters  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1063/1.4826484  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4826484  

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