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dc.contributor.author
Liu, J.  
dc.contributor.author
Losovyj, Y. B.  
dc.contributor.author
Komesu, T.  
dc.contributor.author
Dowben, P.A.  
dc.contributor.author
Makinistian, Leonardo  
dc.contributor.author
Albanesi, Eduardo Aldo  
dc.contributor.author
Petukhov, A.G.  
dc.contributor.author
Galiy, P.  
dc.contributor.author
Fiyala, Y.  
dc.date.available
2017-09-28T21:20:17Z  
dc.date.issued
2008-12  
dc.identifier.citation
Liu, J.; Losovyj, Y. B.; Komesu, T.; Dowben, P.A.; Makinistian, Leonardo; et al.; The Bulk Band Structure and Inner Potential of Layered In4Se3; Elsevier Science; Applied Surface Science; 254; 12-2008; 4322-4325  
dc.identifier.issn
0169-4332  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/25400  
dc.description.abstract
The layered In4Se3 system does have a bulk band structure (i.e. discernable and significant band dispersion) perpendicular to the cleavage plane. Band widths (the extent of dispersion) of 300 meV or more are observed, for In-p and Se-p weighted bands within the valence region, and is indicative of a bulk band structure. Two-dimensionality of state is clearly not conserved, and there must exist interactions between layers sufficient to support a bulk band structure.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
Elsevier Science  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/  
dc.subject
Layered Semiconductors  
dc.subject
Bulk Band Structure  
dc.subject
Photoemission  
dc.subject
Fp-Lapw  
dc.subject.classification
Otras Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS  
dc.title
The Bulk Band Structure and Inner Potential of Layered In4Se3  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2017-09-25T18:21:56Z  
dc.journal.volume
254  
dc.journal.pagination
4322-4325  
dc.journal.pais
Países Bajos  
dc.journal.ciudad
Amsterdam  
dc.description.fil
Fil: Liu, J.. University Of Nebraska; Estados Unidos  
dc.description.fil
Fil: Losovyj, Y. B.. University Of Nebraska; Estados Unidos  
dc.description.fil
Fil: Komesu, T.. University Of Nebraska; Estados Unidos  
dc.description.fil
Fil: Dowben, P.A.. University Of Nebraska; Estados Unidos  
dc.description.fil
Fil: Makinistian, Leonardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Albanesi, Eduardo Aldo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Petukhov, A.G.. South Dakota School of Mines; Estados Unidos  
dc.description.fil
Fil: Galiy, P.. Lviv National University; Ucrania  
dc.description.fil
Fil: Fiyala, Y.. Lviv National University; Ucrania  
dc.journal.title
Applied Surface Science  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.01.061  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433208000615  

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