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dc.contributor.author
Faigon, Adrián Néstor
dc.contributor.author
García Inza, Mariano Andrés
dc.contributor.author
Lipovetzky, José
dc.contributor.author
Redin, Eduardo Gabriel
dc.contributor.author
Carbonetto, Sebastián Horacio
dc.contributor.author
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
dc.contributor.author
Berbeglia, F.
dc.date.available
2017-09-21T22:44:23Z
dc.date.issued
2013-05
dc.identifier.citation
Faigon, Adrián Néstor; García Inza, Mariano Andrés; Lipovetzky, José; Redin, Eduardo Gabriel; Carbonetto, Sebastián Horacio; et al.; Experimental evidence and modeling of non-monotonic responses in MOS dosimeters; Elsevier; Radiation Physics and Chemistry (Oxford); 95; 5-2013; 44-46
dc.identifier.issn
0969-806X
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/24907
dc.description.abstract
The evolution of the threshold voltage of MOS dosimeters during irradiation under switched bias is investigated with the aim of using the sensors with a new biasing technique. The devices response to a bias change does not only depend on the instant threshold voltage and bias, and may lead to non-monotonical behavior under fixed bias following the switch. This work shows experimental evidence for this effect and presents a simple model based on oxide charge buildup and neutralization. The proposed model reproduces the experimental data assuming the existence of two types of hole traps in the oxide. Physical interpretations of the results are discussed.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Elsevier
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Mos Devices
dc.subject
Dosimetry
dc.subject
Gamma Rays
dc.subject.classification
Ingeniería de Sistemas y Comunicaciones
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
dc.title
Experimental evidence and modeling of non-monotonic responses in MOS dosimeters
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2017-09-21T18:55:35Z
dc.journal.volume
95
dc.journal.pagination
44-46
dc.journal.pais
Países Bajos
dc.journal.ciudad
Ámsterdam
dc.description.fil
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.fil
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.fil
Fil: Lipovetzky, José. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
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Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.fil
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.fil
Fil: Berbeglia, F.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.journal.title
Radiation Physics and Chemistry (Oxford)
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0969806X13002582
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/j.radphyschem.2013.04.029
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Tamaño:
458.1Kb
Formato:
PDF