Propiedades estructurales y morfológicas de películas delgadas de uc-Si:H

Abstract

Una serie de películas delgadas de silicio microcristalino dopadas con Boro (µc-Si:H (B)) fueron depositadas por el método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD). Las muestras fueron dopas con Boro. La microestructura y morfología de las muestras fue analizada por microscopía de fuerza atómica (AFM), difracción de rayos X y espectroscopía Raman. Se observó un incremento tanto en la fracción de volumen cristalina como en el tamaño de grano a medida que se incrementó la concentración de Boro en las muestras. Las películas de silicio microcristalino dopadas con Boro presentaron una orientación cristalográfica preferencial en el plano (220).

A series of films boron doped microcrystalline silicon (µc-Si:H (B)) was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The samples were Boron doped. The microstructure and morphology of samples were analyzed by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), and Raman spectroscopy. Trends of increasing crystalline volume fraction and grain size were observed with increasing boron concentration in the samples. The doped microcrystalline silicon films showed a preferential crystallographic orientation in the plane (220).