Artículo
Una serie de películas delgadas de silicio microcristalino dopadas con Boro (µc-Si:H (B)) fueron depositadas por el método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD). Las muestras fueron dopas con Boro. La microestructura y morfología de las muestras fue analizada por microscopía de fuerza atómica (AFM), difracción de rayos X y espectroscopía Raman. Se observó un incremento tanto en la fracción de volumen cristalina como en el tamaño de grano a medida que se incrementó la concentración de Boro en las muestras. Las películas de silicio microcristalino dopadas con Boro presentaron una orientación cristalográfica preferencial en el plano (220). A series of films boron doped microcrystalline silicon (µc-Si:H (B)) was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The samples were Boron doped. The microstructure and morphology of samples were analyzed by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), and Raman spectroscopy. Trends of increasing crystalline volume fraction and grain size were observed with increasing boron concentration in the samples. The doped microcrystalline silicon films showed a preferential crystallographic orientation in the plane (220).
Propiedades estructurales y morfológicas de películas delgadas de uc-Si:H
Fecha de publicación:
12/2007
Editorial:
Sociedad Colombiana de Física
Revista:
Revista Colombiana de Física
ISSN:
0120-2650
Idioma:
Español
Tipo de recurso:
Artículo publicado
Clasificación temática:
Resumen
Palabras clave:
Silicio Microcristalino
,
Película Delgada
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Articulos de INST.DE DES.TECNOL.PARA LA IND.QUIMICA (I)
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Citación
Dussan, A.; Koropecki, Roberto Roman; Propiedades estructurales y morfológicas de películas delgadas de uc-Si:H; Sociedad Colombiana de Física; Revista Colombiana de Física; 39; 1; 12-2007; 281-284
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