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Artículo

Resistive switching in ferromagnetic La2/3Ca1/3MnO3 thin films

Alposta, Ignacio; Kalstein, ArielIcon ; Ghenzi, NéstorIcon ; Bengió, SilvinaIcon ; Zampieri, Guillermo EnriqueIcon ; Rubi, DiegoIcon ; Levy, Pablo EduardoIcon
Fecha de publicación: 23/07/2013
Editorial: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Revista: IEEE Transactions on Magnetics
ISSN: 0018-9464
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Física de los Materiales Condensados

Resumen

Ferromagnetic thin films of La_{2/3}Ca_{1/3}MnO_{3} manganite were grown by pulsed laser deposition, under different oxygen atmospheres, on silicon substrates.We performed structural, magnetic, spectroscopic, and electrical characterization of the films. Resistive switching between high and low resistance states was obtained upon pulsing with opposite polarities voltages. The I-V curves exhibit sharp transitions between these states. The RS properties are strongly dependant on the films oxygen stochiometry and on the compliance current used for producing the high to low transition. ON/OFF ratios as high as 1000 were obtained for optimal RS conditions. Obtained results are discussed within the framework of mobile oxygen vacancies.
Palabras clave: Resistive Switching , Manganites , Thin Films , Lanthanum , Ferromagnetism , Rram Memories
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info:eu-repo/semantics/openAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.5 Unported (CC BY-NC-SA 2.5)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/21942
URL: http://ieeexplore.ieee.org/document/6566117/
DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TMAG.2013.2258662
Colecciones
Articulos(CCT - PATAGONIA NORTE)
Articulos de CTRO.CIENTIFICO TECNOL.CONICET - PATAGONIA NORTE
Articulos(SEDE CENTRAL)
Articulos de SEDE CENTRAL
Citación
Alposta, Ignacio; Kalstein, Ariel; Ghenzi, Néstor; Bengió, Silvina; Zampieri, Guillermo Enrique; et al.; Resistive switching in ferromagnetic La2/3Ca1/3MnO3 thin films; Institute of Electrical and Electronics Engineers; IEEE Transactions on Magnetics; 49; 8; 23-7-2013; 4582-4585
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